Zn_xFe_<3-x>O_4薄膜の構造および磁気・電気特性(薄膜)
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概要
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The structural, magnetic, and electrical properties of sputtered Zn_xFe_<3-x>O_4 thin films were investigated. A spinel structure was obtained for samples annealed above 673 K. The magnetization at 10 kOe of a sample sputtered in Ar and annealed at 873 K was 450 emu/cm^3. Magnetization decreased in samples annealed above 873 K, as a result of evaporation of Zn and an increase in the thickness of the insulating layer. A MR ratio of about 4.3 % was observed at T = 300 K in a sample sputtered in Ar and O_2 mixed gas, and MR curve was of a granular type. However, because the Zn was completely evaporated at this sample, the MR was associated with the Fe_3O_4 grains and the α-Fe_2O_3 boundary.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2003-04-01
著者
-
猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
手束 展規
東北大学大学院工学研究科材料物性学
-
杉本 諭
東北大学大学院工学研究科材料物性学
-
猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科
-
杉本 諭
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
手束 展規
東北大学大学院工学研究科
-
杉本 論
東北大学大学院工学研究科
-
西村 和正
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
-
杉本 諭
東北大
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