Co_2(Cr_<1-x>Fe_x)Alフルホイスラー合金を用いたMTJの磁気抵抗効果
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概要
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Co_2CrAl (x = 0) films were found to form a B2 structure, and when Fe was substituted for Cr (x = 0.4-0.6), the films crystallized B2+A2 structures, while an A2 structure was stable in the case of Co_2FeAl (x = 1) films deposited on thermally oxidized Si substrates at room temperature. The magnetic moments of the films containing Fe tended to increase with increasing x, while those of the films containing Cr were far from the values calculated with an assumption of the L2_1 structure ordering. Spin-valve-type tunneling junctions with a Co_2(Cr_<1-x>Fe_x) film were also fabricated, which demonstrated large tunneling magnetoresistance of 19.1% (x = 0.4) at room temperature and 27.2% at 5 K in spite of atomic site disorder.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2004-02-01
著者
-
猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
手束 展規
東北大学大学院工学研究科材料物性学
-
杉本 諭
東北大学大学院工学研究科材料物性学
-
猪俣 浩一郎
東北大学大学院工学研究科
-
岡村 進
東北大学大学院工学研究科
-
後藤 龍太
東北大学
-
後藤 龍太
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
杉本 諭
東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻
-
手束 展規
東北大学大学院工学研究科
-
杉本 論
東北大学大学院工学研究科
-
杉本 諭
東北大
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