反応性rfスパッタ法によるa-GaNxOy膜の光学的・電気的特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 長岡技術科学大学の論文
- 1983-01-31
著者
関連論文
- 24aYJ-3 TIGaTe_2の角度分解光電子分光
- 25aYQ-11 TIGaS_2の構造相転移 (1) : 電気的性質
- 原料交互供給下での気相成長CuGaS_2層へのZn不純物の選択的添加と成長層の特性
- 25aYQ-12 TlGaS_2の構造相転移(2) : 光学的性質
- (3)パネルディスカッション「新世紀、キャリア教育としてのインターンシップ : 学ぶ・識る・働く」(2、第3回大会概要)
- a-C:H膜における光黒化・退色現象とその発生機構
- a-C:H と C-rich な a-Si_xC_x-1:H 膜フォトルミネッセンス
- RFスパッタa-Si膜の光学的評価
- ZnS:Ag 気相エピタキシャル層のフォトルミネッセンスと光伝導度
- カルコパイライト化合物CuGaS_2の原子層エピタキシー -ストイキオメトリー制御の可能性-
- ZnドープによるCuGaS_2結晶の低抵抗化とフォトルミネッセンス
- ヨウ素化学輸送法によるCuGa_xAl_1-xS_2混晶の成長とフォトルミネッセンス
- CuGaS_2およびCuAlS_2結晶のフォトルミネッセンスとエネルギー準位
- 長岡技術科学大学の教育制度におけるインターンシップの役割と機能 : 現況と展望
- 気相成長法により作製したp型伝導ZnS:N, ZnS:N, Ag, ZnS:N, Ag, ClおよびZnS:N, Ag, In層の特性比較
- 非晶質相-多結晶相を有するZnSxO1-x混相薄膜の光学的特性に関する研究
- 1-3-62および2-4-52族化合物半導体の光学的性質と応用
- トラップ準位の測定による気相エピタキシャルZnS/GaAs層の評価
- CuGaS2結晶のストイキオメトリからのずれと光学的特性
- a-C:H膜の電気的スイッチングと発光
- GaAs及びGaP基板上のZnSエピタキシャル層の比較
- 過渡熱発光法によるZnS/GaAs気相エピタキシャル層のトラップ準位の測定
- 長岡技術科学大学の教育制度におけるインターンシップの役割と機能 : 現況と展望
- GaAs基板上へのZnS気相エピタキシャル成長とフォトルミネッセンス
- 低抵抗a-ZnS膜の作成とその電気的光学的特性
- 反応性rfスパッタ法によるa-GaNxOy膜の光学的・電気的特性
- C3H8-Ar混合ガス中でスパッタしたa-SixC1-x:H薄膜
- Iodine transport法によるCuGaS_2結晶の成長とフォトルミネッセンス