電子スピン共鳴法による半導体デバイス作製プロセスの表面反応解析

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 応用物理学会の論文
• 2006-12-10

著者

• 山崎 聡

  産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター

関連論文

• ゲート絶縁膜・シリコン界面欠陥、膜中欠陥のESR観察(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• 電子スピン共鳴法による半導体デバイス作製プロセスの表面反応解析
• 電子スピン共鳴法による表面ダングリングボンドの生成消滅のその場観察
• プラズマCVD法によるステップフリーダイヤモンド(111)表面の形成(ダイヤモンド成長)

スポンサーリンク