Material Report R&D 量子コンピューターとスピンエレクトロニクス

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• シーエムシー出版の論文

著者

• 伊藤 公平

  慶応大理工

関連論文

• 20aGD-7 スクッテルダイトRPt_4Ge_(R=La,Pr)の超伝導状態 : ^Ge-NQR/NMR(20aGD スクッテルダイト,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23pPSB-37 圧力下^Si-NMRによるURu_2Si_2の研究(23pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pPSA-42 URu_2Si_2の圧力下^Si-NMR II(29pPSA 領域8ポスターセッション(f電子系等2),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 19aPS-43 URu_2Si_2の圧力下^Si-NMR(領域8ポスターセッション(f電子系等I),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aYG-4 圧力誘起超伝導体CeNiGe_3の^Ge-NQR測定(重い電子系超伝導他,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24aTG-4 クラスレート化合物Ba_Ge_とAg_6O_8AgNO_3におけるNMR(クラスレート2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 14pPSA-36 UGe_2 の ^Ge-NMR/NQR による研究(f-電子系, 領域 8)
• 28aXD-1 UGe_2の^Ge-NMR/NQRによる研究(アクチナイドI(U化合物の磁性と超伝導))(領域8)
• 22pRA-11 UGe_2 の ^Ge-NMR/NQR による研究 III
• 26pYB-2 同位体^Ge/^Ge超格子におけるコヒーレントフォノンの観測
• 29pRA-13 CeNiGe_3とCeNi_2Ge_2の圧力効果(29pRA 重い電子系超伝導(CePt_3Si系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 18pPSB-18 CePt_3Siの圧力下における^Si-NMR(18pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等2:アクチナイド,超伝導,新物質など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 29pRA-4 CePt_3Siの^Si-NMR II(29pRA 重い電子系超伝導(CePt_3Si系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 19pTH-7 ^Ge/^Ge同位体ヘテロ構造中のフォノン・ラマン散乱
• 29pYF-10 同位体^Si中のPに束縛された電子スピンの緩和時間の測定(半導体スピン物性)(領域4)
• 29aWF-3 UGe_2 の ^Ge-NMR/NQR による研究 II
• 23pPSB-2 MPt_4Ge_(M=Sr,Ba,La,Pr)の^Ge-NQR(23pPSB 領域8ポスターセッション(f電子系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pYK-12 ^Ge_n/^Ge_n同位体超格子中のフォノン
• 13aYB-10 多重パルス列による ^Si の NMR 測定(半導体スピン物性, 領域 4)
• 22aTF-2 高純度シリコンの NMR による核スピン緩和時間の測定
• 17pTG-2 ^Si結晶中の酸素原子局在振動
• 23pTH-12 ^Ge-NMRと第一原理計算によるクラスレート化合物Ba_Ge_の圧力誘起転移の解析(クラスレート・新物質,領域7,分子性固体・有機導体)
• 19aRG-9 クラスレート化合物Ba_Ge_の第一原理計算と^Ge-NMR(クラスレート,領域7,分子性固体・有機導体)
• 29p-ZG-10 半導体(Ge, GaAs)におけるコヒーレントフォノンの偏光特性
• シリコン結晶中の核スピン量子コヒーレンス (特集号)
• 29pRA-14 圧力誘起超伝導体CeNiGe_3の^Ge-NQR測定II(29pRA 重い電子系超伝導(CePt_3Si系等),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• アンダーソン転移の理論と実験の現状 (「量子輸送現象における新展開」特集号) -- (1.金属-絶縁体転移(アンダーソン転移))
• 31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
• 31p-ZB-7 絶縁体^Ge:Gaにおける局在長の臨界指数
• 23aQG-2 シリコン中リンの低磁場電子・核スピン共鳴(23aQG 磁気共鳴一般・実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 28aYA-5 核スピンのコヒーレンス時間(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
• 半導体中の電子はどのように遍歴化するか? : モット・アンダーソン転移の臨界指数
• 22pL-8 磁場中における^Ge:Gaの金属-絶縁体転移点近傍での広域ホッピング伝導
• SiO_2中の拡散に与えるSi/SiO_2界面の影響
• 17pTG-14 イオン化不純物分布のRandom-to-Correlated転移
• 26aYL-2 n型Ge(As, Ga)の遠赤外不純物吸収スペクトル
• 量子ビットから固体量子コンピューターへの道のり (2004年のニュース総まとめ 特集:物理科学,この1年) -- (凝縮系の物理)
• スピンを使った量子計算 (特集 量子情報)
• 金属・非金属転移 (特集 物性科学の最新動向)
• シリコン半導体からみた量子コンピューター (特集 材料開発からみた量子コンピューター)
• Material Report R&D 量子コンピューターとスピンエレクトロニクス
• 27pTC-9 ^Ge-NQRによるCeNi_2Ge_2の研究II(27pTC 価数揺動系,重い電子系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22aXD-5 UGe_2における高圧下^Ge-NQR測定II(ウラン化合物,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22pRA-14 URhGe の ^Ge-NMR/NQR による研究
• 22pYF-4 Ba_8Si_超伝導物質の同位体効果
• 20aYG-5 ^Ge-NQRによるCeNi_2Ge_2の研究(重い電子系超伝導他,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
• 19aTJ-2 シリコンクラスレート超伝導体Ba_8Si_の比熱
• 27pWA-2 UGe_2における高圧下^Ge-NQR測定(ウラン化合物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• Ga ドープ Ge における金属 : 絶縁体転移
• 量子演算につながるコヒーレンス
• ^Si_n/^Si_n同位体超格子の成長と評価(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
• 「量子コンピュータ開発のためのナノテクノロジー」
• シリコン量子コンピュータ
• 核スピン量子ビット
• シリコン同位体単結晶の応用
• 会議だより 第31回半導体物理学国際会議(ICPS)報告
• 19pYH-7 半導体核スピン量子ビット
• 23pK-1 21世紀に向けた半導体物理工学 : はじめに
• 22pL-9 半導体を用いた金属-絶縁体転移の実験からわかったこと
• ウォッカと灰色の粉末
• 半導体同位体工学
• 8aXB-7 UGe2,URhGeの73Ge-NMR/NQRによる研究(重い電子系(圧力誘起超伝導,5f電子系),領域8)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク