半導体中の電子はどのように遍歴化するか? : モット・アンダーソン転移の臨界指数

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概要

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• 電子相関と乱れが主役を演じる量子相転移はモット・アンダーソン転移として知られ,その代表として,不純物半導体における金属-絶縁体転移が調べられてきた.しかし注目の臨界指数に関しては,有名なSi:Pの例でも0.5〜1.3と様々な値が報告され,0.66以下が理論予測に反する点も含めて「臨界指数の謎」と呼ばれる.筆者らはGe:Gaにおける転移を詳しく調べてきたが,最近,その全体像を得た.本稿では電気伝導度,局在長,誘電率の臨界指数を実験的立場で整理し,謎の真相に迫る.

• 社団法人日本物理学会の論文
• 2002-11-05

著者

• 伊藤 公平

  慶応大理工

• 大塚 洋一

  筑波大物理:学際物質センター

• 大塚 洋一

  筑波大学物理学専攻・TIMS

• 伊藤 公平

  慶應義塾大学理工学部物理情報工学科

• 渡部 道生

  理化学研究所半導体工学研究室

• 伊藤 公平

  慶應義塾大学理工学部

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