Ga ドープ Ge における金属 : 絶縁体転移
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概要
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半導体におけるドーピングによる金属-絶縁体転移は, 歴史の長いしかし未解決の, 固体物理でも重要な課題である. 電気伝導密度臨界指数が2/3より大きいと理論が予想するのに対し, 1種類のドナーまたはアクセプタのみが添加された補償の少ない系を用いた実験からは, 臨界指数≈0.5が得られている. この記事では, これまでの歴史的背景をふまえて, 高品質Ge:Ga(GaドープGe)を用いた我々の最近の研究の結果とその位置づけを報告する.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-03-05
著者
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