30a-LE-3 NbSx(x〓3)のEXAFS(半導体)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1987-03-27

著者

• 大柳 宏之

  電総研

• 吉崎 亮造

  筑波大物理工

• 松浦 悦之

  筑波大物理

• 岩住 俊明

  筑波大物理

• 和泉 充

  長崎大教育

関連論文

• 28p-H-3 集光型2結晶モノクロメーター
• 15p-T-10 YBa_2Cu_3O_yの面内構造異常
• 28p-PS-77 YBa_2Cu_3O_薄膜の偏光EXAFSの温度変化
• PbBaSrYCu_3O_yおよびPbBaSr(Y,Ca)Cu_3O_yのX線吸収スペクトル
• 5a-TC-14 2価,2.5価,3価の二白金錯体のX線吸収スペクトル
• 5a-TC-13 ハロゲン架橋混合原子価錯体のX線吸収スペクトル
• 28p-K-2 蛍光XAFS法による[EDT-TTF(SC_)_2]_2I_3LB膜のヨウ素分子配向状態
• 27p-PS-71 Nd系酸化物超伝導体の電子状態と酸素欠陥
• Nd_Ce_xCuO_の電子状態 : 酸素効果
• 6p-ZA-3 Nd_Ce_xCuO_の電子状態
• 27p-PS-62 酸化物超伝導体のX線吸収スペクトル
• 15p-T-9 Tl_Pb_CuOのX線吸収分光
• 28a-X-6 高温高圧下における液体セレンのEXAFS
• 2p-W-11 アモルファスIV-VI族半導体の構造
• 5p-PS-34 YBa_2Cu_O_yの超伝導の圧力効果の酸素濃度依存性
• 27p-PS-44 Ba_2YCu_3O_yのEXAFS : 酸素濃度依存性
• 1a-N-4 臭素をドープしたポリアセチレンのXANESの理論的研究
• 11a-T-9 Ge,GeO_2,GeAs,ZnSeのK-XANESスペクトルの理論的研究
• 31p-A-3 蛍光EXAFS法による光合成水分解酵素系Mnクラスターの局所構造解析
• 29p-YX-7 補因子Ca^を除去した水分解酵素系Mnクラスターの異常な酸化過程 : 閃光誘起XANES分光法
• 26p-D-10 光合成酸素発生系のS_0, S_1, S_2, S_3状態MnクラスターによるX-線 K-吸スペクトル
• 4a-A-14 複核白金錯体の偏光X線吸収スペクトル
• 4a-A-13 ハロゲン架橋混合原子価錯体の高圧効果III X線吸収スペクトル
• 30a-W-7 Tl_2Ba_2CuO_yのCuO_2面内構造異常
• 27p-PS-66 TI_2Ba_2CuO_6の局所構造
• 12a-Q-5 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光依存EXAFS
• 27p-L-1 フォトンファクトリーEXAFS測定装置
• 30a-G-12 臭素をドープしたポリアセチレンのEXAFS
• 27a-SB-22 アモルファスGeTeのEXAFS
• 1a-N-6 螢光XANESによるミオグロビンのスピン平衡
• 27p-SA-3 EXAFS法による金属蛋白質の局所構造解析
• 30a-D-11 表面敏感EXAFSによる単原子界面層の構造解析 (I) : Si/Ge/Si
• 高パワー放射光X線光学系の開発
• 13a-PS-48 1ML InP _As_x超薄膜の組成依存性におけるIn-As結合長異常
• 29p-C-11 ハロゲンドープC_の磁気特性と構造 III
• 27a-J-13 ハロゲンドープC_の磁気特性と構造II
• 2p-KK-11 EXAFS迅速測定法IV : 溶液反応の時分割観測の試み
• 3a-PS-14 希土類金属イオンを注入したFe,Ni-Fe薄膜
• カルコパイライト化合物半導体の結晶成長と基礎物性
• 27a-YL-1 金属-絶縁体転移を示すPrRu_4P_のXAFS
• 5p-ZA-3 Tl系酸化物超伝導体の局所構造と電子状態
• 電荷・格子ストライプと高温超伝導:相分離から格子変調へ
• EXAFS法によるCuInSe2薄膜の局所構造の研究 (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--局所構造)
• 2Fa02 光合成酸素発生系における Mn クラスターの分子構造解析 : 高分解館 XANES による解析
• 5a-X-9 光合成における水分解系Mnクラスターの構造 : 蛍光XANES法から
• 5p-PS-30 FeをドープしたYBa_2Cu_3O_yの局所構造
• 5a-D3-1 La_2CuO_4単結晶の偏光XANES
• 1Cp09 蛍光XANES法による酸素発生系Mnの存在状態に関する研究 : II. 光活性化と33kD蛋白質遊離に伴う変化
• 1Cp08 蛍光XANES法による酸素発生系Mnの存在状態に関する研究 : I. S_0, S_1及びS_2状態におけるMnの個数と価数
• 3a-P-7 臭素およびヨウ素をドープしたポリアセチレンの構造
• 4p-YA-6 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルIII : XANES
• 4p-YA-5 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトルI : EXAFS
• 2p-KK-10 放射光を利用した蛍光EXAFS測定装置の開発と応用
• 2a-KD-8 臭素をドープしたポリアセチレンの偏光EXAFS II : 濃度依存性
• 27a-PS-40 YBaCu_3O_yおよびCaLaBaCu_3O_yの酸素欠陥と超伝導
• 28p-PS-27 CaLaBaCu_3O_yの局所構造と超伝導
• 23aZH-6 CeT_4P_(T=Fe, Ru, Os)のXANES
• MBE成長CIS薄膜のEXAFSによる研究 (特集:カルコパイライト半導体) -- (物性評価--局所構造)
• 14a-DH-12 Si(001)上のGe成長I「その場」表面敏感XAFSによる研究
• 14a-DH-9 Si(001)上のGe成長IIサーファクタントエピタキシーと界面構造
• 25a-ZG-6 Si(100)上のGeAs初期成長 : (1)As成長温度依存性
• 29a-D-1 アモルファス Si-H 合金の圧力誘起非金属-金属転移
• 31p GE-7 非晶質シリコン水素合金スパッタ膜の物性
• 4p-K-9 NaCl構造InSbの安定性
• 6p-B-12 X線光電子スペクトル(XPS)による非晶質Geの研究
• 27p-L-2 シンクロトロン放射を用いた高速EXAFS測定法
• 27a-PS-38 YBa_2Cu_3O_薄膜の酸素脱離とX線吸収分光
• 29p-W-10 GeSi超格子の構造
• 29p-C-5 表面敏感XAFSからみた2次元成長 : SiGe超格子を中心として
• 4a-PS-27 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究III. : 局所構造の基板温度依存性
• 4a-PS-26 表面敏感XAFSによるGe_nSi_m超格子の研究VI. : n=2の特異な電子状態
• 30a-E-11 RbCu_4I_Cl_のEXAFS
• 1p-M-12 放射光を用いた高速EXAFS測定法II
• 1p-M-11 放射光を用いた高速EXAFS測定法I
• 30a-X-7 孤立一次元セレン鎖の構造の圧力変化
• 放射光用結晶分光型四軸回折計の製作とそれによる散漫散乱測定
• 24pN-4 光誘起構造相転移現象のX線分光 : 光励起と原子再配列
• ゲルマニウム100ピクセルアレイ検出器の開発に成功
• 局所構造と超電導 (特集:高温超電導) -- (電気的・磁気的物性評価)
• 挿入光源と第3世代XAFS : 高輝度光源のもたらす新世界
• 28a-S-4 カンクリナイト中のセレン分子-ダイマ : 構造の証拠
• 29p-K-11 Nd_Ce_xCuO_4における酸素欠陥モデルとその検証
• 挿入光源と第3世代XAFS--高輝度光源による新しい展開
• カルコパイライト化合物半導体研究の現状--光物性と太陽電池の境界領域 (特集:カルコパイライト半導体)
• XAFSの新しい展開 : 光源と計測法を中心として
• 放射光による半導体研究の新しい展開--高輝度放射光の利用と第3世代光源への道
• 7p-U-2 正四面体結合非晶質膜における圧力誘起の半導体-金属転移
• 29a-F-9 結晶セレンの高温高圧下でのEXAFS
• 30p-PSB-25 Sr_xLa_CuO_の酸素欠陥ど超伝導
• 13p-A-11 結晶およびアモルファスセレンの高圧下でのEXAFS
• タイトル無し
• タイトル無し
• タイトル無し
• タイトル無し
• XAFSによる単原子層界面の評価 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
• Nd系高温超伝導体の還元効果--XANESによる研究
• EXAFSによる表面解析 (局所・超微量分析)
• 30a-LE-3 NbSx(x〓3)のEXAFS(半導体)
• 2p-D4-6 ヨウ素をドープしたポリアセチレンの偏光X線吸収スペクトル : II. XANES(2p D4 分子性結晶・液晶・有機半導体,分子性結晶・有機半導体・液晶)
• 30a-LE-5 (NbSe_4)_3Iの相転移とEXAFS(半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク