2p-W-33 HfTe_5の電気伝導
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1981-03-30
著者
-
内野倉 国光
東大工
-
和泉 充
東京海洋大学海洋工学部
-
和泉 充
筑波大物理
-
松浦 悦之
筑波大物理
-
内野倉 国光
筑波大物理
-
原田 茂樹
筑波大物理
-
湯原 克夫
筑波大物理
-
松浦 悦之
筑波大物理:東教大理
-
内野 倉国光
教育大理:筑波大物理
関連論文
- 有機-無機ハイブリッド系ラングミュア・ブロジェット膜を用いたグルコースセンサの開発 : カチオン性超薄膜へのグルコース酸化酵素の吸着特性
- 有機-無機ハイブリッド系ラングミュア・ブロジェット膜を用いたグルコースセンサの開発 : カチオン性超薄膜へのグルコース酸化酵素の吸着特性(機能性有機薄膜,一般)
- TCNQ誘導体LB膜を用いたFETにおける電極界面および絶縁層界面の効果
- TCNQ誘導体LB膜を用いたFETにおける電極界面および絶縁層界面の効果(機能性有機薄膜・一般)
- 28pXD-12 BEDO-TTF/ステアリン酸混合分子系の水面上における部分電荷移動状態の形成
- 28pXD-11 BEDO-TTFをもちいた導電性LB膜における磁気抵抗の脂肪酸分子長効果
- 22aYG-2 BEDO-TTFとステアリン酸との導電性LB膜における横磁気抵抗の解析
- 22aZK-1 BEDO-TTFとステアリン酸との新しい金属LB膜における横磁気抵抗
- ゾルゲル法で作製したエピタキシャルLa_A_xMnO_3(A=Ca, Sr, Ba)薄膜の電気特性
- 24aJ-13 Pr_Ca_MnO_3薄膜における光偏極スピンのマイクロ波応答の研究
- 29p-E-3 Pr_Ca_MnO_3の電荷整列相における光照射効果
- 31p-XB-5 BEDO-TTF/脂肪酸系導電性LB膜におけるアルキル鎖の効果
- 酸素置換型TTFドナー分子BEDO-TTFと脂肪酸による新しい金属的導電性LB膜(新結晶・新物質)
- 26p-PSB-12 (La, Ca)MnO_薄膜における酸素量と電気的・磁気的特性
- 30p-PSB-22 電子スピン共鳴によるPr_Ca_MnO_3における電荷整列相の研究
- Recent progress in metallic Langmuir-Blodgett film based on TTF derivatives (東京商船大学創立120周年記念国際交流基金事業にかかる論文)
- 8p-C-4 新しい金属的導電性LB膜の作製および物性 III
- 31p-C-2 新しい金属的導電性LB膜の作製および物性 II
- 31p-C-1 新しい金属的導電性LB膜の作製および物性 I
- 超伝導発現をめざした電荷移動塩超薄膜の研究
- 長鎖アルキルTFT系LB膜および結晶の研究 : 面内構造
- 27a-K-10 [EDT-TTF(SC_)_2]_2I_3の結晶及びLB膜の物性III
- 28a-YS-5 [EDT-TTF(SC_)_2]_2I_3の結晶及びLB膜の物性II
- 28a-YS-4 [EDT-TTF(SC_)_2]_2I_3の結晶及びLB膜の物性I
- 29a-YP-8 低次元磁性体CuGeO_3の構造II
- 29a-YJ-2 [EDT-TTF(SC_)_2]_2I_3結晶の作製
- 15a-S-11 低次元磁性体CuGeO_3の構造
- 28p-K-2 蛍光XAFS法による[EDT-TTF(SC_)_2]_2I_3LB膜のヨウ素分子配向状態
- 導電性薄膜の構造制御と物性
- 酸化物高温超伝導材料の特性開発
- 4p-F-7 (NbSe_4)_3Iの低温X線構造解析
- 4p-F-6 (MSe_4)_nIのラマン散乱と交流電気伝導
- 3a-L-9 擬一次元金属相NbS_3の超伝導
- 5a-A-7 (MSe_4)_xIの赤外反射スペクトル
- 5a-A-6 (TaSe_4)_2I,(NbSe_4)_3Iのラマン散乱
- 2p-KH-12 (NbSe_4)_3Iのラマン散乱
- 2p-KH-11 (NbSe_4)_3Iの構造相転移
- 13p-PS-19 パルス強磁場下におけるZrTe_5およびHfTe_5の磁気抵抗
- 13p-PS-18 I_NbSe_4およびI_TaSe_4の電気伝導
- 13p-PS-17 NbS_の超伝導
- 30p-M-8 HfTe_5抵抗異常 [IV]
- 30p-M-7 NbS_3の抵抗異常
- 30p-B-4 HfTe_5の抵抗異常 [III]
- 31p-E-17 HfTe_5の抵抗異常[II]
- 2p-NL-11 HfTe_5の抵抗異常
- 2p-W-33 HfTe_5の電気伝導
- 3a-A-13 遷移金属ダイカルコゲナイドの共鳴ラマン散乱
- 30p-E-6 MoSe_2, WSe_2の共鳴ラマン散乱
- 28a-D-10 NbS_3のラマン散乱
- 2p-B-10 遷移金属カルコゲナイドのラマン散乱(II)
- 2p GE-12 遷移金属カルコゲナイドのラマン散乱
- 5p-LT-12 WSe_2のラマン散乱
- 5p-DR-4 2H-MoSe_2のラマン散乱と赤外スペクトル
- 有機-無機ハイブリッド超薄膜によるバイオセンサの開発
- 4p-G-12 0.1°K以下における縮退型半導体の電気伝導
- 極低温に於けるSiの高周波特性 (III) : 半導体
- 1p-F-5 CuV_2S_4の相転移IV
- 2a-TC-2 GaP回折格子表面の表面フォノンポラリトンによる赤外反射とラマン散乱
- 2p-KH-2 Cu_NbS_2の秩序-無秩序相転移
- 1a-KK-11 CuV_2S_4のCDW相転移III
- 13p-PS-11 CuV_2S_4のCDW相転移II
- 27p-M-12 CuV_2S_4のCDW相転移とラマン散乱
- 30a-SC-3 SbSBrの格子力学
- 4a-PS-14 ZmTeの表面フォノンポラリトンによるラマン散乱III
- 1a-KK-8 4Hb-TaSe_2のラマン散乱
- 30p-K-2 表面フォノンポラリントンのラマン散乱による観測
- 27p-M-7 4Hb-TaS_2のラマン散乱 III
- 2a-NL-15 4Hb-TaS_2のラマン散乱
- 30p-E-5 MoS_2, WS_2の共鳴ラマン散乱
- 7p-W-3 GaAsの二次ラマン散乱
- 4a-Z-4 ZnCr_2Se_4 のラマン散乱
- 3a GB-5 パイライト型遷移金属化合物のラマン散乱 II
- 7a-G-5 パイライト型遷移金属化合物のラマン散乱
- 7p-J-9 NiS_2のラマン散乱
- La_Ca_Sr_xCu_2O_ (x=0-1.1)の結晶構造
- 27p-G-8 K_MoO_3の交流伝導度並びに、その揺らぎ測定
- 11p-F-11 CdS_Sexの温度変調スペクトル
- 27p-W-3 SbSBrの相転移の機構
- 30a-SC-2 SbSBrの低温X線回折
- 2a-J-10 SbSBrの相転移VI
- 5a-NB-12 SbSBrの相転移V(格子力学)
- 5a-NB-11 SbSBrの相転移IV(遠赤外反射他)
- 5a-NB-9 SbSIの光双安定性
- 30a-H-10 SbSBrの相転移III : ラマン散乱
- 1a-H-7 SbSBrの相転移 II
- 27a-W-1 SbSBrの相転移
- 2a-C-3 SbSIの光照射効果
- 31a-BH-6 CdS_1-xSe_x の発光の温度依存性
- 31a-BD-1 SbSiの複屈折 II
- 10p-N-7 SbSIの複屈折
- 2a-SC-8 K_2ZnCl_4のラマン散乱
- 2H-MoS_2の共鳴ラマン散乱
- 30a-L-5 ZnTeの表面フォノンポラリトンによるラマン散乱 II
- 3a-B-8 4Hb-TaS_2のラマン散乱 II
- 1p-K-17 ZnTeの表面フォノンポラリトンによるラマン散乱
- 30a-LE-2 擬一次元物質Nb_3Te_4の相転移III(半導体)
- 31p-PS-158 N_2ガス中で焼成したLa_Ba_Cu_3O_yの物性(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 31a-E3-1 (NbSe_4)_3Iの構造相転移II(31a E3 半導体(擬一次元物質),半導体)
- 29a-EA-5 Me_3S・TCNQ(I_3)_の構造(29a EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 交流インピーダンス法による超薄膜バイオセンサの開発