TCNQ誘導体LB膜を用いたFETにおける電極界面および絶縁層界面の効果(機能性有機薄膜・一般)

概要

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近年、有機トランジスタ(OFET)の開発とデバイス化の研究が広くおこなわれている。しかしながら、これまでの研究は主にp型OFETにおいて進められ、n型におけるOFETは未だ十分な研究がなされていない。我々は以前、長鎖アルキル基を有するテトラシアノキノジメタン誘導体のラングミュア・ブロジェット膜がn型OFETを与え、そのFET特性がアルキル基の偶奇性に伴う面内分子パッキング構造に大きく依存していることを報告した。しかし、このOFETの電界効果移動度やON/OFF比などの諸特性は、他のOFETに比べて低い値にとどまっている。我々は本OTFTの特性向上を目的として、1)仕事関数の異なる金属電極を用いた電子注入障壁の低減、2)ゲート絶縁膜表面への自己組織化膜処理によるキャリア捕獲サイトの抑止、など半導体界面(半導体-金属、半導体-絶縁層)に由来した特性抑制原因の検討を行った。その結果、これら界面における要因はOFET特性に大きな影響を与えていることが分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-11-17