GaAs/Ga_＜1-x＞AlxAs 量子井戸での担体のダイナミクス
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Time characteristics of luminescence from quantum well have been examined using time-correlated single photon counting method. The decay time of the luminescence from single quantum well is shorter than that of bulk samples. The rapid decay is considered to reflect the enhancement of recombination due to localization of carriers. The decay time of the luminescence from multi quantum well is longer than that of the single quantum well and depends on wavelength. This dependence is explained by assuming the well size fluctuation.
- 理化学研究所の論文
著者
関連論文
- 広帯域・低損失ミラーによるTi : Sapphireレーザの全波長域CW発振
- 走査型近接場光学顕微鏡によるポリスチレン微粒子配列膜の観察
- 14a-DD-3 光誘起中性-イオン性相転移における相境界のダイナミクス
- 7)高感度512×512画素PtSiイメージセンサ(情報入力研究会)
- 3a-A-10 Si-As-Te系非晶質半導体の構造解析
- 29a-B-6 ピコ秒トランジェントグレーティングによるCdS, CuCl素励起の拡散の測定 (II)
- 2a-Z-11 ピコ秒波長可変レーザーを用いたポラリトンの分散の測定 II : Cds について
- 2a-Z-2 ピコ秒円偏光励起による CuCl の k=0 の励起子分子の発光とその時間分解測定
- 5a-B-6 カルコゲナイドガラスにおける Photodarkening 初期過程の動的特性
- 28a-Z-3 Ce^3+ドープ弗化物および酸化物結晶の光学的性質I
- 25a-ZE-17 CuCl薄膜中の励起子分子
- 25a-ZE-16 CuCl薄膜における励起子の量子サイズ効果
- 28a-G-9 ポリジアセチレン単結晶の光スイッチング
- 28a-J-7 CuCl薄膜における磁気円偏光2色性: II
- 14a-DC-3 CuCl薄膜における励起子の量子サイズ効果III
- 14a-DC-1 CuCl薄膜における磁気円偏向2色性
- 30a-Q-9 CuCl薄膜における励起子の量子サイズ効果II
- 1a-N-7 GaAs/AlAs多重量子井戸内の2次元励起子の強磁場依存性
- 28a-ZH-13 GaAs/AlAs多重量子井戸内の2次元励起子の磁場依存性
- 25p-X-19 GaAs薄膜・量子井戸の励起子
- 2a-D-3 GaAs/AlAs多重量子井戸における磁場効果 II
- 30p-Z-15 InGaAs-GaAs異種接合におけるバンドオフセット値の精密測定 II
- 6a-B-5 GaAs/AlGaAs多重量子井戸のへき開綿発光の磁場効果
- 3a-B-13 GaAs薄膜における励起子の磁場効果
- 3p-C-17 磁場を用いたGaAs-InGaAs歪超格子のバンドオフセット値の精密決定
- 3p-C-8 GaAs/AlGaAs多重量子井戸における磁場効果
- レーザー単原子層成長法による成長層の特性評価
- 4a-C3-19 CuCl薄膜内の励起子と励起子分子
- 4a-C3-18 GaAs薄膜内励起子ポラリトンの量子化
- 4a-C3-15 GaAs/Al_Ga_As多重量子井戸におけるフォトルミネッセンスの偏光特性
- GaAs/GaAlAs量子井戸細線からの発光の過渡特性
- 28p-B-5 CuCl単結晶薄膜の発光と時間分解スペクトル
- 2次元励起子の非常に遅いエネルギ-緩和過程 (超高速量子エレクトロニクス) -- (物理への応用)
- 27aYG-11 CdS微粒子分散ガラスの熱ルミネセンス
- 科学セミナーに参加して(会員の声)
- シンポジウムの報告を読んで(会員の声)
- 28aXS-2 光とX線を照射したCdS微粒子分散ガラスの熱ルミネセンス(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
- 代議員選出方法について(会員の声)
- 代議員制度について
- 24aN-12 CdS及びCdSSe微粒子分散ガラスにおけるフェムト秒の動的過程
- 31a-ZH-1 CdS微粒子分散ガラスにおける吸収飽和と光誘起吸収
- 28p-J-6 半導体微粒子分散ガラスの光黒化効果の機構
- 25p-ZE-2 CdSSeドープガラスの発光とESR
- 多孔質シリコンの可視発光特性
- 30a-B-12 ガラス中のCdS及びCdSSe微粒子の発光とESR
- レーザー原子層エピタキシーによるGaAsパターン化成長層の評価
- P. A. Cox 著, 魚崎浩平, 他訳, 固体の電子構造と化学, 技報堂出版, 東京, 1989, xii+270p., A5判, 4,000円 [学部, 大学院向教科書]
- 半導体材料のマイクロスコピーに関する第6回オックスフォード会議
- 定款の変更について
- 多重量子井戸における励起子ダイナミクスの電界効果
- GaAs/Ga_＜0.6＞Al_＜0.4＞As 量子井戸での励起子ダイナミクスの電界効果
- 3p-X-5 ZnCdSe/ZnSe多重量子井戸内励起子ポーラロンと強磁場
- 29a-Z-13 ZnCdSe/ZnSe多重量子井戸内励起子のg値の混晶比及び井戸幅依存性:I
- 28a-A-12 強磁場中でのGaAs/AlGaAs 量子井戸二次元励起子のダイナミクス
- 28a-A-7 GaAs 量子井戸におけるエネルギー緩和
- 14a-DC-2 半導体微粒子の磁気光学効果III
- 30a-Q-8 半導体微粒子の磁気光学効果II
- 25p-ZE-5 半導体微粒子の磁気光学効果
- CuCl超微粒子の二光子分光II
- 1a-KG-11 GaAs/GaAlAs単一量子井戸における担体のピコ秒ダイナミクス
- GaAs/Ga_＜1-x＞AlxAs 量子井戸での担体のダイナミクス
- 4)磁界中のガス放電の移動(第20回 固体画像変換装置研究委員会)
- 7)COG技術を小型高精細TFT-LCDに適用するための線路設計(情報ディスプレイ研究会)
- CdSの3次元フォトニック結晶中への取り入れ技術と評価について
- 1a-K-11 CuClのピコ秒誘導吸収による附加境界条件の検討(II)
- 4p-NE-4 CuClのピコ秒誘導吸収による附加境界条件の検討
- 30p-G-6 NaCl型結晶上へのCuClのエピタキシャル成長
- KDPのフェムト秒誘導ラマン散乱
- 3a-F-13 強磁場中でのGaAs/AlGaAs MQW二次元励起子のダイナミクス
- CuClの励起子ポラリトンと付加境界条件
- ピコ秒応用計測
- 過渡回折格子(トランジェント・グレ-ティング)分光法とその応用(実験室)
- 半導体のピコ秒分光
- 4p-NE-5 CuClにおける励起子ポラリトンの拡散
- 2p-M-11 GaSeにおける励起子吸収の時間変化
- 2p-M-6 銅ハライド励起子のボトルネックの測定
- 28a-A-5 パルス・ポラリトンの伝播
- 光学的方法による真珠の母貝鑑別
- 1a-RA-6 高校「理科1」教科書における熱の記述
- 11a-F-3 高校物理教科書の新旧比較
- 海水産真珠の養殖母海鑑別法
- J. O'M. Bockris 著, 喜多英明・魚崎浩平訳: エナジーオプション, 技報堂出版, 東京, 1982, xxiii+446ページ, 21.5×15.5cm, 5,500円.
- 30a-KP-5 高校理科 I 教科書の問題点
- 3p-BG-6 共鳴二光子励起下のCuCl励起子系のピコ秒領域動的挙動の測定
- 3p-BG-5 ピコ秒レーザーを用いたCuBrの発光寿命の測定
- 4a-DR-7 共鳴二光子励起下のCuCl励起子分子ポラリトン系のピコ秒領域動的挙動の測定II
- 7p-J-16 レーザーMBE製作ZnO薄膜の室温励起子レーザー発振
- 31p GF-5 ピコ秒トランジェントグレーティング法によるCuCl, CdS素励起の拡散の測定 (I)
- 31p GF-4 ピコ秒可変波長レーザーを用いたポラリトンの分散の測定
- CuClにおけるポラリトンの伝播
- レーザーMBE法成長ZnO量子ドット薄膜の発光スペクトル
- 3a-D5-10 GaAs/GaAlAs多重量子井戸からの発光の時間変化(3a D5 イオン結晶・光物性(励起子・ポラリトン・ピコ秒分光),イオン結晶・光物性)