GaAs/Ga_＜0.6＞Al_＜0.4＞As 量子井戸での励起子ダイナミクスの電界効果
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概要
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The decay time of luminescence from a multi-quantum well has been measured at 20K by using a CW mode-locked dye laser and a synchroscan-streak camera. The decay time is found to increase when an electric field is applied. The increase is considered to be attributable to the field-induced carrier separation. The present results are compared with those reported by other researchers.
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