GaAs/AlAsヘテロ構造の界面フォノン・ポラリトン
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 17pWD-13 GaAs(111)BにおけるRHEED強度振動異常を用いた(2×2)→(√×√)相転移の動的解明
- 17pWD-12 GaAs(100)成長初期におけるRHEED強度振動異常の解明
- 2p-H-8 Fe_xZn_F_6Si・6H_2O における核断熱消磁 II
- 1p-TJ-10 X線多層膜反射鏡 III
- 4a-W-4 X線多層膜反射鏡 II : 評価
- 4a-W-3 X線多層膜反射鏡 I : 設計と作製
- 5a-A2-16 GaAs/AlAsヘテロ構造の界面フォノン・ポラリトンによるラマン散乱
- 27a-P-10 試料端に変調をつけた細線の電気伝導
- 26a-P-13 NiAl細線の電気伝導
- 27p-B-13 静電圧による電子位相の制御 II
- 29p-ZK-8 電子位相の静電圧制御
- 29p-PS-23 酸化物超伝導体の構造相転移とそのX線的研究
- GaAs/GaAlAs量子井戸細線からの発光の過渡特性
- 多重量子井戸における励起子ダイナミクスの電界効果
- GaAs/Ga_＜0.6＞Al_＜0.4＞As 量子井戸での励起子ダイナミクスの電界効果
- 28a-T-1 単結晶CuNi超格子の作製と評価
- 2a-A-9 InGaAs/GaAs超格子のフォトルミネッセンス
- 5p-B5-8 Al-Mn超格子のアニールによる原子拡散過程
- 29a-H-9 MBE法による半導体薄膜の格子変形と界面欠陥
- 29a-H-8 Al-Mn超格子の作製とアニール効果
- 28a-A-19 PLによるInGaAs/InAlAs単一量子井戸におけるバンド不連続
- 28a-A-16 InGaAs/InAlAs多重量子井戸のフォトルミネッセンス
- 28a-A-11 GaAs-AlAs 超格子のラマン散乱における超格子周期数の効果
- 2a-N-5 半導体歪み超格子のX線的研究
- 13p-E-11 GaAs/AlAs超格子のZnによるDiffusion
- 26p-Q-9 X線多層膜反射鏡 V
- 5a-TA-7 X線多層膜反射鏡 IV
- 13a-DE-12 GaAs/AlAs超格子の光吸収スペクトルにおける鞍点光学遷移
- 3p-C-6 結合したGaAs/AlAs量子井戸系における光学遷移と空間変調効果
- 29p-YG-1 単結晶Cu/Ni超格子の構造と弾性異常
- 14p-A-4 単結晶Cu/Ni超格子の弾性異常 II
- 28a-T-2 単結晶CuNi超格子の弾性異常とブリルアン散乱
- 30a-ZB-9 MBE法による(001)-Cu/Ni金属超格子の作製と構造評価
- 30a-ZB-8 MBE法による(111)-Cu/Ni金属超格子の作製と構造評価
- 28a-K-8 Cu-Ni人工格子の作製と評価II
- 25a-T-4 Cu-Ni人工格子の作製と評価
- 25a-M-6 In_xGa_As/Al_Ga_As歪量子井戸の光学遷移とバンドオフセット
- GaAs/AlAsヘテロ構造の界面フォノン・ポラリトン
- 28a-F-19 InGaAs/GaAs界面からの自己活性発光
- MBEによる半導体超格子の作製とその物性 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の作製と評価)
- 超格子 (3-V族半導体エレクトロニクスの新展開)