1p-TJ-10 X線多層膜反射鏡 III
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-03-16
著者
-
阪上 潔
関学大・理
-
寺内 暉
関学大・理
-
佐野 直克
関西学院大学理学部
-
阪上 潔
関西学院大理工
-
加藤 弘
関西学院大・理
-
川崎 洋司
関学大・理
-
森山 公一朗
関学大・理
-
加藤 弘
関学大・理
-
佐野 直克
関学大・理
-
佐野 直克
関西学院大 理工
-
佐藤 直克
関学大理
関連論文
- 31a-YK-1 X線によるC_のガラス転移の研究
- 23px-2 高エネルギーX線によるK_3H(S0_4)_2の室温構造解析
- 17pWD-13 GaAs(111)BにおけるRHEED強度振動異常を用いた(2×2)→(√×√)相転移の動的解明
- 17pWD-12 GaAs(100)成長初期におけるRHEED強度振動異常の解明
- 2p-H-8 Fe_xZn_F_6Si・6H_2O における核断熱消磁 II
- 19pTG-1 MBE法によるMgO(001)基根上におけるCr薄膜成長の初期過程II(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 24aX-5 BaTiO_3/SrTiO_3(001)表面における構造相転移
- 超格子を用いた放射光用単色器の適用検討 II
- 24pYH-4 MBE法によるMgO(001)基板上におけるCr薄膜成長の初期過程(24pYH 結晶成長,微粒子,クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28aXK-9 SrTiO_3(001)表面の105K相転移 : 表面薄膜の効果(誘電体)(領域10)
- 22aXC-7 SrTiO_3 105K 相転移と SrTiO_3 表面薄膜
- 24pX-6 強誘電体薄膜の現状と問題点
- 24aX-1 Bi層状構造強誘電体Bi_4Ti_3O_薄膜の作製と物性
- 25pYJ-9 BaTiO_3エピタキシャル膜における誘電特性の膜厚依存性
- 25pZ-8 Ti/Cr人工格子の作製と評価
- 28p-M-8 シンクロトロン放射光を用いた斜入射X線回折によるBaTiO_3薄膜の表面構造
- 6p-F-14 X線によるSrTiO_3/BaTiO_3超格子の評価II
- 29a-B-11 KNbO_3の相転移と原子位置II
- 29a-B-7 X線によるSrTiO_3/BaTiO_3超格子の評価
- MBEによるSrTiO_3/BaTiO_3超格子の作製
- MBEによるBaTiO_3薄膜
- KNbO_3の相転移と原子位置
- 3aーR-2 K_(NH_4)_xIにおけるガラス相転移 V
- 1a-R-9 MBEによるBaTiO_3薄膜の作製
- 29p-P-8 超格子を用いた放射光用単色器の適用検討
- 1p-TJ-10 X線多層膜反射鏡 III
- 4a-W-4 X線多層膜反射鏡 II : 評価
- 4a-W-3 X線多層膜反射鏡 I : 設計と作製
- 5a-A2-16 GaAs/AlAsヘテロ構造の界面フォノン・ポラリトンによるラマン散乱
- 27a-P-10 試料端に変調をつけた細線の電気伝導
- 26a-P-13 NiAl細線の電気伝導
- 27p-B-13 静電圧による電子位相の制御 II
- 29p-ZK-8 電子位相の静電圧制御
- 29p-PS-23 酸化物超伝導体の構造相転移とそのX線的研究
- 多重量子井戸における励起子ダイナミクスの電界効果
- GaAs/Ga_＜0.6＞Al_＜0.4＞As 量子井戸での励起子ダイナミクスの電界効果
- 28p-ZR-2 Ni(C_3H_N_2)_2NO_2Cl0_4の構造相転移
- 28a-T-1 単結晶CuNi超格子の作製と評価
- 30a-E-4 パルスX線回析装置の開発 IV : 回析系
- 30a-E-3 パルスX線回析装置の開発 III : X線の性質
- 31a-N-4 EXAFSによる構造相転移の研究
- 3p-AA-7 KH_3(SeO_3)_2の強弾性転移とX線散漫散乱
- 6a-B-2 Wurster's Blue Perchlorateの相転移とExciton-Phonon相互作用
- 26p-A-12 C_nADP結晶の室温構造と偶奇性
- 15a-B-1 固体C_の相転移の研究
- 29a-C-1 固体C_の低温構造
- 30a-A-1 (CH_3NH_3)_3Bi_2Br_9の強弾性相転移
- 30a-ZR-9 BaTiO_3薄膜のX線回折
- 25a-S-9 BaTiO_3薄膜の相転移
- 28p-YK-5 X線によるC_nADPの相転移の研究
- 2p-S-2 C_60薄膜の作製とX線による評価
- 2a-A-9 InGaAs/GaAs超格子のフォトルミネッセンス
- 5p-B5-8 Al-Mn超格子のアニールによる原子拡散過程
- 29a-H-9 MBE法による半導体薄膜の格子変形と界面欠陥
- 29a-H-8 Al-Mn超格子の作製とアニール効果
- 28a-A-19 PLによるInGaAs/InAlAs単一量子井戸におけるバンド不連続
- 28a-A-16 InGaAs/InAlAs多重量子井戸のフォトルミネッセンス
- 28a-A-11 GaAs-AlAs 超格子のラマン散乱における超格子周期数の効果
- 2a-N-5 半導体歪み超格子のX線的研究
- 13p-E-11 GaAs/AlAs超格子のZnによるDiffusion
- 30a-ZB-2 ヘテロ界面の構造とX線CTR散乱
- 26p-Q-9 X線多層膜反射鏡 V
- 5a-TA-7 X線多層膜反射鏡 IV
- 12a-U-5 K_2SeO_4の相転移とX線散乱
- 13a-DE-12 GaAs/AlAs超格子の光吸収スペクトルにおける鞍点光学遷移
- 3p-C-6 結合したGaAs/AlAs量子井戸系における光学遷移と空間変調効果
- 29p-YG-1 単結晶Cu/Ni超格子の構造と弾性異常
- 14p-A-4 単結晶Cu/Ni超格子の弾性異常 II
- 28a-T-2 単結晶CuNi超格子の弾性異常とブリルアン散乱
- 30a-ZB-9 MBE法による(001)-Cu/Ni金属超格子の作製と構造評価
- 30a-ZB-8 MBE法による(111)-Cu/Ni金属超格子の作製と構造評価
- 28a-K-8 Cu-Ni人工格子の作製と評価II
- 25a-T-4 Cu-Ni人工格子の作製と評価
- 6a-B-1 Smectic液晶の相転移と分子間相互作用
- 3a-B-7 K_3D(SO_4)_2結晶の構造と相転移
- 31p-L-4 K_3(H,D)(SO_4)_2の低温構造と幾何学的同位体元素効果
- 3a-R-3 KBr_(NO_2)_xの相転移
- 27p-RD-7 ADP及びRb_(NH_4)_H_2PO_4のラマン散乱
- 2p-KK-9 PbZrO_3の相転移のEXAFSによる研究(II)
- 25a-M-6 In_xGa_As/Al_Ga_As歪量子井戸の光学遷移とバンドオフセット
- GaAs/AlAsヘテロ構造の界面フォノン・ポラリトン
- 2p-NE-10 80CBに於けるネマティック-スメクティックA相転移
- 28a-F-19 InGaAs/GaAs界面からの自己活性発光
- 27a-YD4 KB_rl-x(NO_2)_xの相転移
- 31p-YK-2 K_(NH_4)_xIにおけるガラス相転移 IV
- 28a-YS-2 K(NH_4)_xlのガラス転移
- 15p-J-5 K_(NH_4)_XIの相転移
- MBEによる半導体超格子の作製とその物性 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の作製と評価)
- 超格子 (3-V族半導体エレクトロニクスの新展開)
- 5p-X-12 (ClC_6H_4)_2SO_2の不整合相転移
- 24a-S-6 (CH_3)_3NCH_2COO・CaBr_2・2H_2O(BCBD)の構造と相転移
- 5p-B-5 Pb_3(VO_4)_2結晶の強誘電相とX線解析
- 2a-B-11 Cd_Zn_xTeの構造と誘電性
- C60薄膜の相転移
- C60単結晶におけるガラス相の構造緩和
- タイトル無し
- タイトル無し
- 7pSH-7 チタン酸ビスマスのアニール効果(誘電体,領域10)
- 31a-G4-4 ディスコテック・ラメラ相のX線回折(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 1p-E2-5 強誘電体-反強誘電体混晶系とガラス相(1p E2 誘電体,誘電体)