30a-ZB-9 MBE法による(001)-Cu/Ni金属超格子の作製と構造評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-03-12
著者
-
寺内 暉
関西学院大・理
-
佐野 直克
関学大理
-
佐野 直克
関西学院大学理学部
-
寺内 暉
関西学院大
-
阪上 潔
関西学院大理工
-
佐野 直克
関西学院大 理工
-
神垣 耕世
関西学院大学・理
-
神垣 耕世
現京セラ
-
二星 学
関西大学大理
-
佐藤 直克
関学大理
-
佐野 直克
関西学院大 理
-
二星 学
関西学院大理
-
神垣 耕世
関西学院大・理
-
阪上 潔
関西学院大学・理学部
関連論文
- 31a-WB-1 C_低温相の単結晶精密X線構造解析
- 30p-Q-6 シェブレル化合物超伝導体のNMR
- 20pHS-7 ブリジマン法で作製されたBi-O格子欠陥によるrandom fieldに基づくリラクサ固溶体Na_Bi_TiO_3-BaTiO_3単結晶の圧電特性(20pHS 誘電体(リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 17pWD-13 GaAs(111)BにおけるRHEED強度振動異常を用いた(2×2)→(√×√)相転移の動的解明
- 17pWD-12 GaAs(100)成長初期におけるRHEED強度振動異常の解明
- 2p-H-8 Fe_xZn_F_6Si・6H_2O における核断熱消磁 II
- 27aYJ-12 リラクサ強誘電体固溶体NBTBTに於ける格子欠陥に基ずく誘電・圧電特性(誘電体(リラクサー),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 30aRF-5 リラクサ強誘電体固溶体の圧電応答に於けるナノツインドメインの電界誘起分極反転(30aRF 誘電体(リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pYE-6 MPB近傍でのリラクサ強誘電体固溶体PMNTの圧電・誘電応答に及ぼす圧力誘起自由エネルギ変化の影響(誘電体(リラクサー関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pTG-1 MBE法によるMgO(001)基根上におけるCr薄膜成長の初期過程II(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19pXA-8 MPB近傍のリラクサ強誘電体固溶体の圧電応答への外力の効果(誘電体(リラクサー),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 24pYH-4 MBE法によるMgO(001)基板上におけるCr薄膜成長の初期過程(24pYH 結晶成長,微粒子,クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 29a-B-7 X線によるSrTiO_3/BaTiO_3超格子の評価
- MBEによるSrTiO_3/BaTiO_3超格子の作製
- MBEによるBaTiO_3薄膜
- 1a-R-9 MBEによるBaTiO_3薄膜の作製
- 29p-P-8 超格子を用いた放射光用単色器の適用検討
- 1p-TJ-10 X線多層膜反射鏡 III
- 4a-W-4 X線多層膜反射鏡 II : 評価
- 4a-W-3 X線多層膜反射鏡 I : 設計と作製
- 5a-A2-16 GaAs/AlAsヘテロ構造の界面フォノン・ポラリトンによるラマン散乱
- 27a-P-10 試料端に変調をつけた細線の電気伝導
- 26a-P-13 NiAl細線の電気伝導
- 27p-B-13 静電圧による電子位相の制御 II
- 29p-ZK-8 電子位相の静電圧制御
- 26pYC-3 X線回折法によるGaナノドロップレットのぬれ現象の観察(26pYC 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30a-A-9 Rb_2ZnBr_4 の低温における相転移の再吟味
- 29p-PS-23 酸化物超伝導体の構造相転移とそのX線的研究
- 23pWY-11 リラクサ強誘電体固溶体NBTBTでのドメイン構造と誘電特性(23pWY マルチフェロイック・リラクサー,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
- 多重量子井戸における励起子ダイナミクスの電界効果
- GaAs/Ga_＜0.6＞Al_＜0.4＞As 量子井戸での励起子ダイナミクスの電界効果
- 28a-T-1 単結晶CuNi超格子の作製と評価
- 30a-E-3 パルスX線回析装置の開発 III : X線の性質
- 30a-E-2 パルスX線回折装置開発 II : 繰返し高圧発生装置
- 30a-E-1 パルスX線回折装置の開発 I : 概要
- 14a-H-10 X線によるLi_2Ge_7O_の強誘電性相転移の研究
- CnADP(n=3, 4)の強弾性相転移
- 31p-PSA-9 CnADP(n=2, 3, 4)の結晶構造と相転移
- 28a-YD-5 C_3H_7NH_3H_2PO_4の結晶構造と相転移
- 28a-ZC-1 BaTiO_3薄膜単結晶のX線回折
- 29a-YR-7 K_3D(SO_4)_2の低温相のX線構造解析
- 13p-J-1 (NH_4)_3H(SO_4)_2の低温のX線結晶構造解析
- 27p-ZR-1 局所構造及び平均構造から見たCd_Zn_XTe半導体混晶の強誘電的相転移
- 27p-M-4 Cd_Zn_xTe半導体混晶の強誘電性
- YBa_2Cu_3O_超薄膜のX線回折
- 29p-L-3 RERh_4B_4およびMMo_6X_8のNMR (最近の興味ある超伝導物質)
- 14a-S-7 PdCo, PdNiCo合金のNMR
- 1a-J-5 Rb_2ZnBr_4の低温におけるX線回折
- 1C12 ペルフルオロアルキル鎖を含む液晶化合物のスメクチック相の分子配列について
- 29a-J-5 C_60/Cu多層膜の相転移
- 31a-WB-2 C_/Cu多層膜の作製とX線による評価
- 2a-UB-11 希釈ダイポール系KI_(NO_2)_xのX線散漫散乱
- 2a-A-9 InGaAs/GaAs超格子のフォトルミネッセンス
- 5p-B5-8 Al-Mn超格子のアニールによる原子拡散過程
- 29a-H-9 MBE法による半導体薄膜の格子変形と界面欠陥
- 29a-H-8 Al-Mn超格子の作製とアニール効果
- 28a-A-19 PLによるInGaAs/InAlAs単一量子井戸におけるバンド不連続
- 28a-A-16 InGaAs/InAlAs多重量子井戸のフォトルミネッセンス
- 28a-A-11 GaAs-AlAs 超格子のラマン散乱における超格子周期数の効果
- 2a-N-5 半導体歪み超格子のX線的研究
- 13p-E-11 GaAs/AlAs超格子のZnによるDiffusion
- 25aWG-13 X線表面散乱法を用いた生分解性ポリマーPoly(hydroxybutyrate)薄膜構造の研究(25aWG 液晶・膜・エマルジョン,領域12(ソフトマター物理,化学物理,生物物理))
- 29a-A-1 光電子スペクトルによるMg(OH)_2の脱水過程の研究
- 13B15 X線によるリエントラントネマチック液晶の構造的研究
- 3p-KD-8 X線によるリエントラントネマチック液晶の研究
- 1p-KN-8 強誘電体-反強誘電体混晶系のダイポール・グラス
- 5p-ZA-12 Nd_2CuO_4系酸化物超伝導体薄膜のX線的研究
- 26p-Q-9 X線多層膜反射鏡 V
- 5a-TA-7 X線多層膜反射鏡 IV
- 6p-PS-21 Bi_2Sr_2Ca_1Cu_2O_単結晶のインコメンシュレートな超格子構造の低温におけるX線的研究
- 31p GG-1 強誘電液晶の相転移
- 3R15 強誘電液晶の相転移
- 3a-AA-9 LATの相転位とX線散漫散乱
- 2a-G-7 Fe-Pt,Fe-Niインバー合金のX線回折
- 13a-DE-12 GaAs/AlAs超格子の光吸収スペクトルにおける鞍点光学遷移
- 3p-C-6 結合したGaAs/AlAs量子井戸系における光学遷移と空間変調効果
- 29p-YG-1 単結晶Cu/Ni超格子の構造と弾性異常
- 14p-A-4 単結晶Cu/Ni超格子の弾性異常 II
- 28a-T-2 単結晶CuNi超格子の弾性異常とブリルアン散乱
- 30a-ZB-9 MBE法による(001)-Cu/Ni金属超格子の作製と構造評価
- 30a-ZB-8 MBE法による(111)-Cu/Ni金属超格子の作製と構造評価
- 28a-K-8 Cu-Ni人工格子の作製と評価II
- 25a-T-4 Cu-Ni人工格子の作製と評価
- 27a-SB-23 EXAFS, SAXSによるアモーファスGeSeなどの構造的考察
- 2a-UB-9 RDP-ADP混晶系とグラス相 VIII
- 2a-UB-8 RDP-ADP混晶系とグラス相 VII
- 2p-H-11 ベンヂルの相転移II
- 28a-W-1 Benzilの弾性異常
- 27a-W-12 WO_3の弾性異常
- X線回折およびEXAFSによるダイポールグラスの研究
- 31p KH-7 Chevrel型超伝導体のNMR
- 単結晶金属人工格子の弾性異常
- 物質における「ゆらぎ」と散漫散乱現象
- 25a-M-6 In_xGa_As/Al_Ga_As歪量子井戸の光学遷移とバンドオフセット
- 27p-PS-27 REBa_2Cu_3O_(RE=Y, Gd, Pr)単結晶薄膜及び超格子のX線回折
- GaAs/AlAsヘテロ構造の界面フォノン・ポラリトン
- 28a-F-19 InGaAs/GaAs界面からの自己活性発光
- MBEによる半導体超格子の作製とその物性 (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の作製と評価)
- 29a-FC-6 InGaAs/GaAsヘテロ接合における界面ルミネッセンス(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 31a-G-6 MBE法で作製したThue-Morse超格子(31aG 半導体(ナローギャップ,擬一次元系))