31a-G-6 MBE法で作製したThue-Morse超格子(31aG 半導体(ナローギャップ,擬一次元系))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1989-03-28

著者

• 佐野 直克

  関学大理

• 加藤 弘

  関学大理

• 神垣 耕世

  関学大理

• 寺内 暉

  関学大理

• 森岡 達也

  関学大理

関連論文

• 30p-Q-6 シェブレル化合物超伝導体のNMR
• 2a-UB-10 Rb_(NH_4)_xH_2PO_4の誘電率(III)
• 3p-D-5 Rb_(NH_4)_xH_2PO_4混晶系の誘電率
• 3a-M-10 合金単結晶からのX線散漫散乱強度の成分分離への異常散乱現象の利用
• 11p-T-8 X線異常散乱を用いたCu_2NiZn合金の短範囲規則の測定
• 7p-X-13 SPring-8・BL02B1における回折装置の性能と評価
• 29a-YD-8 {N(CH_3)_4}_2CuCl_4の圧力誘起不整合相
• 28p-YB-5 表面安定化強誘電性液晶の電圧印加に伴う層変形の研究
• 2F605 表面安定化強誘電性液晶の電場による層変形の研究
• 14a-B-8 表面安定化強誘電性液晶のX線回折
• 30pYM-3 DAFSによるCa_Cu_O_薄膜のladder site局所構造解析
• 24aX-5 BaTiO_3/SrTiO_3(001)表面における構造相転移
• 24pX-6 強誘電体薄膜の現状と問題点
• 24aX-1 Bi層状構造強誘電体Bi_4Ti_3O_薄膜の作製と物性
• 25pYJ-9 BaTiO_3エピタキシャル膜における誘電特性の膜厚依存性
• 25pZ-8 Ti/Cr人工格子の作製と評価
• 28p-M-8 シンクロトロン放射光を用いた斜入射X線回折によるBaTiO_3薄膜の表面構造
• 6p-F-14 X線によるSrTiO_3/BaTiO_3超格子の評価II
• 29p-P-6 非晶質GeSeのEXAFS
• 31p GK-7 固溶体Al-Cu合金に対する銅のK吸収端付近のEXAFSの測定
• 5a-A2-16 GaAs/AlAsヘテロ構造の界面フォノン・ポラリトンによるラマン散乱
• 3a-D-7 α-硫黄の光電導
• 4a-M-9 α-硫黄の光電導
• 4a-M-8 溶融硫黄の光伝導
• 4p-NB-2 EXAFSによる非晶質PbTiO_3の構造研究
• 29p-PS-23 酸化物超伝導体の構造相転移とそのX線的研究
• 28p-YR-5 EXAFSによるSrTiO_3の局所構造
• 液体He温度に至るNiO, MnO等の單位格子の温度変化 : 粒子線・X線
• 10a-K-8 結合構造因子の計算
• 28a-T-1 単結晶CuNi超格子の作製と評価
• 28p-E-11 EXAFS, XANESによるAuCd合金のマルテンサイト変態に伴う前駆現象の研究
• 27a-A-4 フィボナチ人工格子のX線回折パターン
• 30a-E-4 パルスX線回析装置の開発 IV : 回析系
• 2a-NK-5 EXAFSによる構造相転移の研究:AuCuZn_2合金のEXAFS.
• 1p-U-11 EXAFSによる構造相転移の研究
• 1a-H-9 Ti_4O_7の相転移
• 2a-C-4 アニリンHBrの弾性異常II
• 31p GG-3 Aniline HBrの強弾性相転移
• 22p-N-9 Aniline Hydrobromide〔C_5H_5NH_3〕^+Br^-のX線臨界散乱
• 11a-P-11 Quasi spin-Phonon coupled system II. KNO_3
• 28p-W-4 フォトルミネッセンスによる(AlAs)n/(GaAs)n短周期超格子の歪効果
• 28p-C-5 (GaAs)n/(AlAs)n短周期超格子(n=1〜5)の時間分解発光
• 28p-C-2 (GaAs)n/(AlAs)n TypeI超格子におけるフォトルミネッセンスの圧力効果
• 25a-M-8 (GaAs)_n/(In_xAl_As)_n歪超格子のフォトルミネッセンスII
• 25a-M-7 (GaAs)_n/(In_xAl_As)_n歪超格子のフォトルミネッセンスI
• 2a-D-11 InAlAs上の(AlAs)m/(GaAs)n超格子のフォトルミネッサンス II
• 2a-D-10 TnAlAs上の(AlAs)m/(GaAs)n超格子のフォトルミネッセンス I
• 30a-Z-11 (AlAs)n(GaAs)n超格子におけるX発光の歪効果
• 27a-HJ-11 β-Caroteneの発光
• 30p-C-9 CuPcの発光と光電導 III
• 2p-NE-1 CuPeの発光と光電導
• 31a-S-12 Cu-Phthalocyanineの2光子吸収
• 12a-A-6 α-硫黄の光電導
• 12p-N-8 α-硫黄の光電導
• 5p-M-7 アンスラセンの光学的・電気的性質
• 9a-C-1 蟻酸Strontiumの光電導
• 1p-TE-8 α-硫黄の光電導
• 15a-C-8 α-硫黄の光電導 VI
• α-硫黄の光電導 V : 分子結晶・有機半導体
• α硫黄の光電導 IV : 分子結晶・有機半導体
• 5p-AA-13 K_2PbCu(NO_2)_6のESRと一軸性圧力効果
• 28a-D-10 ICTS法を用いたAl_xGa_As:Te中のDXセンターの圧力効果
• 24a-M-4 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
• 5a-D-1 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
• 29p-L-3 RERh_4B_4およびMMo_6X_8のNMR (最近の興味ある超伝導物質)
• 14a-S-7 PdCo, PdNiCo合金のNMR
• 2a-A-9 InGaAs/GaAs超格子のフォトルミネッセンス
• 28p-C-3 (GaAs)m(AlAs)n人工超格子における光学スペクトルの圧力効果
• 24p-M-9 (GaAs)_m(AlAs)_n人工超格子における反射スペクトルの圧力効果II
• 2a-D-9 (GaAs)m(AlAs)n超格子の反射スペクトルの圧力効果
• 30a-Z-13 超高圧低温下における(GaAs)m(AlAs)m超格子のフォトルミネッセンス (III)
• 3p-C-13 超高圧低温下における(GaAs)_m(AlAs)_n超格子のフォトルミネッセンス (II)
• 27a-N-9 (Al,Ga)As準周期性超格子のラマン散乱
• 1a-N-10 AlAs/GaAs 超格子の線偏光励起スペクトル
• 28a-ZH-3 フォトルミネッセンスによるGaAs/AlAs超格子の圧力効果
• 28a-C-4 AlAs/GaAs短周期超格子の電子構造とその圧力及び歪効果
• 13a-DE-12 GaAs/AlAs超格子の光吸収スペクトルにおける鞍点光学遷移
• 3p-C-6 結合したGaAs/AlAs量子井戸系における光学遷移と空間変調効果
• 29p-YG-1 単結晶Cu/Ni超格子の構造と弾性異常
• 14p-A-4 単結晶Cu/Ni超格子の弾性異常 II
• 28a-T-2 単結晶CuNi超格子の弾性異常とブリルアン散乱
• 30a-ZB-9 MBE法による(001)-Cu/Ni金属超格子の作製と構造評価
• 30a-ZB-8 MBE法による(111)-Cu/Ni金属超格子の作製と構造評価
• 28a-K-8 Cu-Ni人工格子の作製と評価II
• 25a-T-4 Cu-Ni人工格子の作製と評価
• 31p KH-7 Chevrel型超伝導体のNMR
• 25a-M-6 In_xGa_As/Al_Ga_As歪量子井戸の光学遷移とバンドオフセット
• 3p-C-12 (AlAs)_m/(GaAs)_m短周期超格子のX-発光の寿命と時間分解スペクトルII
• 3p-C-11 (AlAs)_m/(GaAs)_m短周期超格子のX-発光の寿命と時間分解スペクトルI
• 5a-A2-11 Al_xGa_As/AlAs超格子の発光
• 5a-A2-10 (AlAs)_(GaAs)_n超格子のr-,X-発光
• 28a-F-19 InGaAs/GaAs界面からの自己活性発光
• 31a-S-13 α-硫黄の発光とその寿命
• 29a-FC-6 InGaAs/GaAsヘテロ接合における界面ルミネッセンス(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
• 29a-G-11 Al_xGa_As/AlAs超格子の不純物効果(29aG 半導体(超格子))
• 28p-G-10 (AlAs)n(GaAs)n[n
• 1p-L1-8 (AIAs)n(GaAs)m[n, m〈15]超格子のルミネッセンスI(半導体,(表面・界面・超格子))
• 1p-L1-11 (AIAs)n(GaAs)m[n, m〈15]超格子のルミネッセンスII(半導体,(表面・界面・超格子))
• 28p-G-13 AlAs/GaAs超格子の超高圧低温下におけるルミネッセンス測定(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
• 31a-G-6 MBE法で作製したThue-Morse超格子(31aG 半導体(ナローギャップ,擬一次元系))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク