5p-M-7 アンスラセンの光学的・電気的性質
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1972-04-03
著者
関連論文
- 3a-D-7 α-硫黄の光電導
- 4a-M-9 α-硫黄の光電導
- 4a-M-8 溶融硫黄の光伝導
- 27a-A-4 フィボナチ人工格子のX線回折パターン
- 28p-W-4 フォトルミネッセンスによる(AlAs)n/(GaAs)n短周期超格子の歪効果
- 28p-C-5 (GaAs)n/(AlAs)n短周期超格子(n=1〜5)の時間分解発光
- 28p-C-2 (GaAs)n/(AlAs)n TypeI超格子におけるフォトルミネッセンスの圧力効果
- 25a-M-8 (GaAs)_n/(In_xAl_As)_n歪超格子のフォトルミネッセンスII
- 25a-M-7 (GaAs)_n/(In_xAl_As)_n歪超格子のフォトルミネッセンスI
- 2a-D-11 InAlAs上の(AlAs)m/(GaAs)n超格子のフォトルミネッサンス II
- 2a-D-10 TnAlAs上の(AlAs)m/(GaAs)n超格子のフォトルミネッセンス I
- 30a-Z-11 (AlAs)n(GaAs)n超格子におけるX発光の歪効果
- 27a-HJ-11 β-Caroteneの発光
- 30p-C-9 CuPcの発光と光電導 III
- 2p-NE-1 CuPeの発光と光電導
- 31a-S-12 Cu-Phthalocyanineの2光子吸収
- 12a-A-6 α-硫黄の光電導
- 12p-N-8 α-硫黄の光電導
- 5p-M-7 アンスラセンの光学的・電気的性質
- 9a-C-1 蟻酸Strontiumの光電導
- 8p-C-6 α硫黄の外部光電効果
- 3a-K-6 α-硫黄の光電導(IX)
- 3a-K-5 α-硫黄の光電導(VIII)
- 1p-TE-8 α-硫黄の光電導
- 15a-C-8 α-硫黄の光電導 VI
- α-硫黄の光電導 V : 分子結晶・有機半導体
- α硫黄の光電導 IV : 分子結晶・有機半導体
- 1p-L-9 α-硫黄の光電導III
- 13p-M-8 α-硫黄の光伝導(II)
- 4a-K-14 α-硫黄(S_8分子結晶)の光電導(I)
- 重なった2枚の位相差板の各リターディションと方位差の決定II
- 論文中の記号・用語の統一化への一試案
- 論文中の用語・記号の統一化への一試案
- 5p-AA-13 K_2PbCu(NO_2)_6のESRと一軸性圧力効果
- 二枚の位相差板による可視光に対する1/4波長板 II : 応用力学・音響
- 28a-D-10 ICTS法を用いたAl_xGa_As:Te中のDXセンターの圧力効果
- 24a-M-4 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
- 5a-D-1 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
- 2a-A-9 InGaAs/GaAs超格子のフォトルミネッセンス
- 28p-C-3 (GaAs)m(AlAs)n人工超格子における光学スペクトルの圧力効果
- 24p-M-9 (GaAs)_m(AlAs)_n人工超格子における反射スペクトルの圧力効果II
- 2a-D-9 (GaAs)m(AlAs)n超格子の反射スペクトルの圧力効果
- 30a-Z-13 超高圧低温下における(GaAs)m(AlAs)m超格子のフォトルミネッセンス (III)
- 3p-C-13 超高圧低温下における(GaAs)_m(AlAs)_n超格子のフォトルミネッセンス (II)
- 27a-N-9 (Al,Ga)As準周期性超格子のラマン散乱
- 1a-N-10 AlAs/GaAs 超格子の線偏光励起スペクトル
- 28a-ZH-3 フォトルミネッセンスによるGaAs/AlAs超格子の圧力効果
- 28a-C-4 AlAs/GaAs短周期超格子の電子構造とその圧力及び歪効果
- 混合ポリエステルの分光光粘弾性効果 : 応用力学
- 全可視光領域対応型自動位相差測定機の光弾性応力解析への応用
- 重なった2枚の位相子のリターディションと方位角の決定法
- 全可視光領域対応型自動位相差測定機の光弾性応力解析への応用
- 全可視光領域対応型自動位相差測定機の試作
- 重なった2枚の位相差板の方位とリターディションの決定
- 全可視光領域対応型自動位相差測定機の試作
- セナルモンの補整法によるリターディションの絶対値測定法
- 全可視光領域対応型セナルモン, およびターディー補整法
- 全波長対応型光弾性装置
- マイクロ光弾性とその画像処理
- KCl-KBr混晶の光弾性感度 : 光物性・イオン結晶
- 3p-C-12 (AlAs)_m/(GaAs)_m短周期超格子のX-発光の寿命と時間分解スペクトルII
- 3p-C-11 (AlAs)_m/(GaAs)_m短周期超格子のX-発光の寿命と時間分解スペクトルI
- 5a-A2-11 Al_xGa_As/AlAs超格子の発光
- 5a-A2-10 (AlAs)_(GaAs)_n超格子のr-,X-発光
- 28a-F-19 InGaAs/GaAs界面からの自己活性発光
- 31a-S-13 α-硫黄の発光とその寿命
- Effect of High Electric Fields on Some Fruits and Vegetables.
- 29a-FC-6 InGaAs/GaAsヘテロ接合における界面ルミネッセンス(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 29a-G-11 Al_xGa_As/AlAs超格子の不純物効果(29aG 半導体(超格子))
- 28p-G-10 (AlAs)n(GaAs)n[n
- 1p-L1-8 (AIAs)n(GaAs)m[n, m〈15]超格子のルミネッセンスI(半導体,(表面・界面・超格子))
- 1p-L1-11 (AIAs)n(GaAs)m[n, m〈15]超格子のルミネッセンスII(半導体,(表面・界面・超格子))
- 28p-G-13 AlAs/GaAs超格子の超高圧低温下におけるルミネッセンス測定(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
- 31a-G-6 MBE法で作製したThue-Morse超格子(31aG 半導体(ナローギャップ,擬一次元系))