28p-W-4 フォトルミネッセンスによる(AlAs)n/(GaAs)n短周期超格子の歪効果
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
超格子を用いた放射光用単色器の適用検討 II
-
29p-P-8 超格子を用いた放射光用単色器の適用検討
-
1p-TJ-10 X線多層膜反射鏡 III
-
4a-W-4 X線多層膜反射鏡 II : 評価
-
4a-W-3 X線多層膜反射鏡 I : 設計と作製
-
3a-D-7 α-硫黄の光電導
-
4a-M-9 α-硫黄の光電導
-
4a-M-8 溶融硫黄の光伝導
-
27a-A-4 フィボナチ人工格子のX線回折パターン
-
28p-W-4 フォトルミネッセンスによる(AlAs)n/(GaAs)n短周期超格子の歪効果
-
28p-C-5 (GaAs)n/(AlAs)n短周期超格子(n=1〜5)の時間分解発光
-
28p-C-2 (GaAs)n/(AlAs)n TypeI超格子におけるフォトルミネッセンスの圧力効果
-
25a-M-8 (GaAs)_n/(In_xAl_As)_n歪超格子のフォトルミネッセンスII
-
25a-M-7 (GaAs)_n/(In_xAl_As)_n歪超格子のフォトルミネッセンスI
-
2a-D-11 InAlAs上の(AlAs)m/(GaAs)n超格子のフォトルミネッサンス II
-
2a-D-10 TnAlAs上の(AlAs)m/(GaAs)n超格子のフォトルミネッセンス I
-
30a-Z-11 (AlAs)n(GaAs)n超格子におけるX発光の歪効果
-
1a-RH-10 β-カロチンの光伝導
-
27a-HJ-11 β-Caroteneの発光
-
27a-HJ-10 Chromatophovesにおけるエネルギー伝達
-
30p-C-9 CuPcの発光と光電導 III
-
30a-K-5 CuPcの発光と光伝導II
-
2p-NE-1 CuPeの発光と光電導
-
31a-S-12 Cu-Phthalocyanineの2光子吸収
-
2p-G-11 フタロシアニン励起子分子の発光とその時間分解測定II
-
29a-Q-11 フタロシアニン励起子分子の発光とその時間分解測定 I
-
3a-N-3 金属フタロシアニンの蛍光寿命
-
12a-A-6 α-硫黄の光電導
-
12p-N-8 α-硫黄の光電導
-
5p-M-7 アンスラセンの光学的・電気的性質
-
9a-C-1 蟻酸Strontiumの光電導
-
1p-TE-8 α-硫黄の光電導
-
15a-C-8 α-硫黄の光電導 VI
-
α-硫黄の光電導 V : 分子結晶・有機半導体
-
α硫黄の光電導 IV : 分子結晶・有機半導体
-
5p-AA-13 K_2PbCu(NO_2)_6のESRと一軸性圧力効果
-
5p-P-8 金属フタロシアニンのルミネッセンスと量子効果
-
3p-C-9 (GaAs)_n/(AlAs)_n超格子のエネルギー帯構造の解析
-
30p-L-11 DXセンターの圧力下におけるICTSスペクトル実験 : DXセンターの多重性と格子緩和
-
12a-DF-7 Si-DX, Te-DXセンターの圧力下におけるICTSスペクトル : DXセンターの多重性と格子緩和
-
30a-M-1 DXセンターの多重性と格子緩和 : 圧力下のICTSスペクトル実験
-
28a-D-10 ICTS法を用いたAl_xGa_As:Te中のDXセンターの圧力効果
-
24a-M-4 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
-
5a-D-1 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
-
2a-A-9 InGaAs/GaAs超格子のフォトルミネッセンス
-
2a-KD-3 導電性高分子のフォトルミネッセンス;温度,ドーピング効果
-
28p-C-3 (GaAs)m(AlAs)n人工超格子における光学スペクトルの圧力効果
-
24p-M-9 (GaAs)_m(AlAs)_n人工超格子における反射スペクトルの圧力効果II
-
2a-D-9 (GaAs)m(AlAs)n超格子の反射スペクトルの圧力効果
-
30a-Z-13 超高圧低温下における(GaAs)m(AlAs)m超格子のフォトルミネッセンス (III)
-
3p-C-13 超高圧低温下における(GaAs)_m(AlAs)_n超格子のフォトルミネッセンス (II)
-
27a-N-9 (Al,Ga)As準周期性超格子のラマン散乱
-
29a-H-9 MBE法による半導体薄膜の格子変形と界面欠陥
-
29a-H-8 Al-Mn超格子の作製とアニール効果
-
28a-A-19 PLによるInGaAs/InAlAs単一量子井戸におけるバンド不連続
-
28a-A-16 InGaAs/InAlAs多重量子井戸のフォトルミネッセンス
-
2a-N-5 半導体歪み超格子のX線的研究
-
1a-N-10 AlAs/GaAs 超格子の線偏光励起スペクトル
-
28a-ZH-3 フォトルミネッセンスによるGaAs/AlAs超格子の圧力効果
-
30a-ZB-2 ヘテロ界面の構造とX線CTR散乱
-
28a-C-4 AlAs/GaAs短周期超格子の電子構造とその圧力及び歪効果
-
26p-Q-9 X線多層膜反射鏡 V
-
5a-TA-7 X線多層膜反射鏡 IV
-
31p-CK-6 フタロシアニン蒸着膜のルミネッセンスの寿命
-
12a-G-1 β-カロチン薄膜の光学的性質
-
5p-AE-10 亜鉛フタロシアニンの螢光励起スペクトル
-
2a-SF-13 クロマトフォアの螢光測定による光エネルギー伝達経路に関する研究
-
5p-M-8 アントラセンの電子線・X線誘起電導
-
4a-M-6 電子線パルスを用いたα-硫黄の高電界電気現象
-
8p-C-7 α-硫黄のbulk Photoconductivity
-
1p-TE-9 硫黄の電子衝撃電導
-
12p-Q-7 ポリチオフェンのフォトルミネッセンス
-
3p-C-12 (AlAs)_m/(GaAs)_m短周期超格子のX-発光の寿命と時間分解スペクトルII
-
3p-C-11 (AlAs)_m/(GaAs)_m短周期超格子のX-発光の寿命と時間分解スペクトルI
-
5a-A2-11 Al_xGa_As/AlAs超格子の発光
-
5a-A2-10 (AlAs)_(GaAs)_n超格子のr-,X-発光
-
28a-F-19 InGaAs/GaAs界面からの自己活性発光
-
27p-QA-13 フタロシアニンにおける雰囲気依存現象 II (電気的測定)
-
27p-QA-12 フタロシアニンにおける雰囲気依存現象 I (光学的測定)
-
31a-S-13 α-硫黄の発光とその寿命
-
2p-M-1 α-硫黄のレーザー光電導 IV
-
12p-N-10 α-硫黄のレーザー光電導 III
-
12p-N-9 α-硫黄のレーザー光電導 II
-
6a-KF-1 イオウ単結晶のレーザ光伝導
-
12a-A-5 α-硫黄のレーザー光電導 V
-
タイトル無し
-
タイトル無し
-
タイトル無し
-
28a-K-10 Al-Mn超格子の作製とアニール効果II(金属)
-
31p-CF-1 MBEによる単結晶金属人工格子の作製と構造的評価(31p CF X線・粒子線)
-
29a-FC-6 InGaAs/GaAsヘテロ接合における界面ルミネッセンス(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
-
31p-CF-2 GaAs基板上の薄膜結晶の歪み解析(31p CF X線・粒子線)
-
1a-A3-4 MBEによる歪み超格子(31p A3 X線・粒子線,X線・粒子線)
-
29a-G-11 Al_xGa_As/AlAs超格子の不純物効果(29aG 半導体(超格子))
-
28p-G-10 (AlAs)n(GaAs)n[n
-
1p-L1-8 (AIAs)n(GaAs)m[n, m〈15]超格子のルミネッセンスI(半導体,(表面・界面・超格子))
-
29p-JC-13 プラスチックβ-カロテンの光電導スペクトル(分子性結晶・液晶・有機半導体)
-
1p-L1-11 (AIAs)n(GaAs)m[n, m〈15]超格子のルミネッセンスII(半導体,(表面・界面・超格子))
-
28p-G-13 AlAs/GaAs超格子の超高圧低温下におけるルミネッセンス測定(28pG 半導体(量子ホール効果,超格子))
-
31a-G-6 MBE法で作製したThue-Morse超格子(31aG 半導体(ナローギャップ,擬一次元系))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク