12p-N-10 α-硫黄のレーザー光電導 III
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1974-09-20
著者
関連論文
- 28p-W-4 フォトルミネッセンスによる(AlAs)n/(GaAs)n短周期超格子の歪効果
- 28p-C-5 (GaAs)n/(AlAs)n短周期超格子(n=1〜5)の時間分解発光
- 28p-C-2 (GaAs)n/(AlAs)n TypeI超格子におけるフォトルミネッセンスの圧力効果
- 25a-M-8 (GaAs)_n/(In_xAl_As)_n歪超格子のフォトルミネッセンスII
- 25a-M-7 (GaAs)_n/(In_xAl_As)_n歪超格子のフォトルミネッセンスI
- 2a-D-11 InAlAs上の(AlAs)m/(GaAs)n超格子のフォトルミネッサンス II
- 2a-D-10 TnAlAs上の(AlAs)m/(GaAs)n超格子のフォトルミネッセンス I
- 30a-Z-11 (AlAs)n(GaAs)n超格子におけるX発光の歪効果
- 1a-RH-10 β-カロチンの光伝導
- 27a-HJ-11 β-Caroteneの発光
- 27a-HJ-10 Chromatophovesにおけるエネルギー伝達
- 30p-C-9 CuPcの発光と光電導 III
- 31a-S-12 Cu-Phthalocyanineの2光子吸収
- 2p-G-11 フタロシアニン励起子分子の発光とその時間分解測定II
- 29a-Q-11 フタロシアニン励起子分子の発光とその時間分解測定 I
- 3a-N-3 金属フタロシアニンの蛍光寿命
- 5p-P-8 金属フタロシアニンのルミネッセンスと量子効果
- 30a-M-1 DXセンターの多重性と格子緩和 : 圧力下のICTSスペクトル実験
- 28a-D-10 ICTS法を用いたAl_xGa_As:Te中のDXセンターの圧力効果
- 24a-M-4 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
- 5a-D-1 DXセンターの電子放出スペクトルの圧力下ICTS測定
- 2a-A-9 InGaAs/GaAs超格子のフォトルミネッセンス
- 28p-C-3 (GaAs)m(AlAs)n人工超格子における光学スペクトルの圧力効果
- 24p-M-9 (GaAs)_m(AlAs)_n人工超格子における反射スペクトルの圧力効果II
- 2a-D-9 (GaAs)m(AlAs)n超格子の反射スペクトルの圧力効果
- 30a-Z-13 超高圧低温下における(GaAs)m(AlAs)m超格子のフォトルミネッセンス (III)
- 3p-C-13 超高圧低温下における(GaAs)_m(AlAs)_n超格子のフォトルミネッセンス (II)
- 1a-N-10 AlAs/GaAs 超格子の線偏光励起スペクトル
- 28a-ZH-3 フォトルミネッセンスによるGaAs/AlAs超格子の圧力効果
- 28a-C-4 AlAs/GaAs短周期超格子の電子構造とその圧力及び歪効果
- 31p-CK-6 フタロシアニン蒸着膜のルミネッセンスの寿命
- 12a-G-1 β-カロチン薄膜の光学的性質
- 5p-AE-10 亜鉛フタロシアニンの螢光励起スペクトル
- 2a-SF-13 クロマトフォアの螢光測定による光エネルギー伝達経路に関する研究
- 5p-M-8 アントラセンの電子線・X線誘起電導
- 4a-M-6 電子線パルスを用いたα-硫黄の高電界電気現象
- 8p-C-7 α-硫黄のbulk Photoconductivity
- 1p-TE-9 硫黄の電子衝撃電導
- 12p-Q-7 ポリチオフェンのフォトルミネッセンス
- 3p-C-12 (AlAs)_m/(GaAs)_m短周期超格子のX-発光の寿命と時間分解スペクトルII
- 3p-C-11 (AlAs)_m/(GaAs)_m短周期超格子のX-発光の寿命と時間分解スペクトルI
- 5a-A2-11 Al_xGa_As/AlAs超格子の発光
- 5a-A2-10 (AlAs)_(GaAs)_n超格子のr-,X-発光
- 28a-F-19 InGaAs/GaAs界面からの自己活性発光
- 27p-QA-13 フタロシアニンにおける雰囲気依存現象 II (電気的測定)
- 27p-QA-12 フタロシアニンにおける雰囲気依存現象 I (光学的測定)
- 31a-S-13 α-硫黄の発光とその寿命
- 2p-M-1 α-硫黄のレーザー光電導 IV
- 12p-N-10 α-硫黄のレーザー光電導 III
- 12p-N-9 α-硫黄のレーザー光電導 II
- 6a-KF-1 イオウ単結晶のレーザ光伝導
- 12a-A-5 α-硫黄のレーザー光電導 V
- 29a-FC-6 InGaAs/GaAsヘテロ接合における界面ルミネッセンス(29a FC 半導体(表面・界面・超格子・MOS))
- 29a-G-11 Al_xGa_As/AlAs超格子の不純物効果(29aG 半導体(超格子))
- 28p-G-10 (AlAs)n(GaAs)n[n
- 1p-L1-8 (AIAs)n(GaAs)m[n, m〈15]超格子のルミネッセンスI(半導体,(表面・界面・超格子))
- 29p-JC-13 プラスチックβ-カロテンの光電導スペクトル(分子性結晶・液晶・有機半導体)
- 1p-L1-11 (AIAs)n(GaAs)m[n, m〈15]超格子のルミネッセンスII(半導体,(表面・界面・超格子))