II-VI化合物の電子線励起レーザー : 半導体, イオン結晶, 光物性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1968-10-13
著者
関連論文
- GaN量子ドットの作製とレーザーへの応用
- 31p-K-5 GaN量子ドットレーザーの試作(2) : Mgドーピングp-AlGaNのC-V評価
- レーザー単原子層成長法による成長層の特性評価
- GaN量子ドットの作製とレーザーへの応用
- 原子層制御エピタキシャル成長技術
- GaAs,AlGaAs,AlAsのレ-ザ-単原子層結晶成長と表面過程〔英文〕 (電子材料の課題と展望)
- Drifting Plasmaの強電場効果(II) : 半導体(不安定性)
- 半導体中のDappler効果III : 半導体 : マイクロ波
- 微小重力下での帯溶融法によるPbSnTe単結晶成長(無重力下における結晶成長)
- 14p-K-14 Ge中でのPhononのBuild-up,VI
- パルス列レーザーを用いた小型軟X線源の開発
- パルスレーザー堆積法による軟X線多層膜ミラーの設計と作製
- レーザープラズマX線を用いた結像型X線顕微鏡の開発
- レーザMOVPE法によるGaAsの単原子層制御成長(アトミックルールプロセス)
- レ-ザ-ALE法によるGaAsの単原子層成長 (固体表面の化学設計と機能)
- 7a-G-4 Geでのphononのbuild-up IV
- 半導体中でのphononのbuild up(II) : 半導体(不安定性)
- 半導体の強電場効果 : ドリフト速度の異常性 : 半導体 : 不安定性
- II-VI化合物の電子線励起レーザー (II) : イオン結晶・光物性
- II-VI化合物の電子線励起レーザー : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 半導体プラズマのDreft Doppler : 半導体 : 理論と不安定性
- 29p-Q-7 レート方程式によるGaAs,AlAs結晶成長の解析(29pQ 結晶成長)