アルゴンレ-ザMOCVD--GaAsの原子層成長への応用 (エキシマレ-ザ・光CVD<特集>)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
- 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
- カーボンナノチューブを用いた単一および結合量子ドット
- アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
- 原子レベルの表面構造制御による窒化物半導体の欠陥密度の低減
- GaN量子ドットの成長機構とその光学特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- GaN量子ドットの作製とレーザーへの応用
- 24aPS-69 STM針による表面バンドに於ける電子の表面分布の制御
- ナノデバイスへの期待
- 3次元電子顕微鏡の開発
- ナノサイズのビーカーの中で何が起こるか
- 原子層成長による原子層フラクタル超格子の作製と評価
- 21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- AlGaNチャネルHEMTにおけるドレイン耐圧の向上
- 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
- 26aF-12 カーボンナノチューブに形成された量子ドットの電気伝導特性
- 「応用物理」とブレークスルー
- アンチサーファクタント処理を施したGaN薄膜の貫通転位
- 30p-S-6 光誘起デジタルエッチングとその表面過程
- LQE2000-25 パルスレーザーアブレーションによるGaNのエッチング加工
- 埋め込み量子ドット界面のサイト選択的 X 線吸収測定(半導体・エレクトロニクス)
- 28pPSB-12 ナノプローブ圧による半導体量子ドットのフォトルミネセンス増強効果
- ガスソース分子線エピタキシャル成長GaNにおけるIn添加効果
- 材料科学と量子エレクトロニクス
- コヒーレント科学
- レーザー溶融法によるナノ微結晶Si薄膜の作製
- レーザーアブレーションによる高温超伝導薄膜の配向制御
- レーザーアプレーションによる酸化物薄膜の作成
- X線レ-ザ-への期待
- 単原子層操作とその機構
- 半導体の単原子層操作
- レーザーを用いた原子層エピタキシー
- 極限精密加工・成長 : レーザ単原子層制御結晶成長
- アルゴンレ-ザMOCVD--GaAsの原子層成長への応用 (エキシマレ-ザ・光CVD)
- 光を用いた単原子層半導体結晶成長
- 28p-YP-3 実時間実空間高次差分法を用いた非線形応答関数の計算
- InAlGaN4元混晶を用いた330nm帯高効率紫外LED(紫外発光材料の現状と将来)
- InAlGaN4元混晶を用いた330mm帯高効率紫外LED : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- レーザー材料として見た半導体 : (In)AlGaN窒化物混晶の結晶成長と300nm帯紫外高輝度LEDへの応用
- InAIGaN四元混晶を用いた300nm帯紫外高輝度LEDの開発
- InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
- InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
- SC-4-9 2次元プレート積層による3次元フォトニック結晶の作製
- フォトニック結晶を用いた半導体レーザの将来展望
- 31P-YB-3 実時間実空間差分法を用いたフォトニック結晶共振器の共振特性の解析
- フォトニック結晶共振器を用いた集積用面発光レーザの提案
- GaN量子ドットの作製とレーザーへの応用
- レーザー原子層エピタキシー
- III-V族化合物半導体材料の表面精密加工技術 : 原始層エピタキシー
- 原子層制御エピタキシャル成長技術
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- 31a-ZB-5 連結型結合ドットの基礎物性
- 31a-ZB-5 連続型結合ドットの基礎物性
- 直線偏光した光により誘起された異方性を持つ高分子膜による液晶の配向制御 : 偏光記憶高分子膜による液晶の配向制御 : 情報ディスプレイ
- 28a-A-5 パルス・ポラリトンの伝播
- パルス列レーザーを用いた軟X線再結合レーザーの研究
- MBE/CBE装置の試作とその特性
- GaAsのレーザー誘起原子層エピタキシィにおけるサーマルパルス同時照射効果
- 光励起による結晶成長の制御
- 光ICにおける技術的問題点
- レーザMOVPE法によるGaAsの単原子層制御成長(アトミックルールプロセス)
- イオンエッチング法でブレーズされたホログラフィックグレーティングの製作
- 31a-N-11 Influence of Landau terraces on backscattering in a quantum dot
- 酸素ラジカルビーム照射による超伝導薄膜成長に及ぼす効果
- 半導体ナノ構造における電子輸送
- レ-ザ-を用いた単原子層制御結晶成長 (レ-ザ-表面技術の新しい展開)
- 原子層エッチング (原子層制御から原子制御へ)
- モノづくりとスペクトロスコピ--1-量子構造をつくる--単電子層操作とそれを用いた量子井戸,量子細線の製作
- 6pPSB-4 半導体量子ドットの3次元STEM観察(表面界面結晶成長,領域9)