横方向超格子ナノ構造の発光分光
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概要
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周期的表面電極構造にバイアス電圧を印加することにより、変調ドープ量子井戸内二次元電子系に対して横方向にポテンシャル変調を加えることを試みた。バイアス電圧の大きさにより、連続的に二次元系から相互に強く結合した量子ドットを経て孤立した量子ドットへと電子密度の変調を加えることが可能であることが示された。強く結合した量子ドットが形成され、大域的なフェルミ面が存在する場合にフェルミ端異常の発散が発光スペクトルに強く観測され、量子ドットが孤立して大域的フェルミ面が消失した際に、フェルミ端異常の発散が小さくなることが観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-22
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