26pCC-7 面内配向性を有するF8T2超薄膜トランジスタの電場誘起ESR観測(26pCC 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2012-03-05

著者

• 田中 久暁

  名大院工

• 渡辺 峻一郎

  名大院工応物

• 田中 久暁

  名大院工応物

• 黒田 新一

  名大院工応物

• 永野 修作

  名大院工応化

• 関 隆広

  名大院工応化

• 冨川 晴貴

  名大院工応化

• 永野 修作

  名古屋大学大学院工学研究科物質制御工学専攻

• 富川 晴貴

  名大院工応化

• 東 健二郎

  名大院工応物

• 岩附 紘子

  名大院工応化

• 渡辺 峻一郎

  ケンブリッジ大

• 永野 修作

  名大VBL:JST-さきがけ

関連論文

• 23aGR-6 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体サーフェスセルのキャリア4体再結合ダイナミクス(23aGR 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGS-10 高移動度導電性高分子におけるキャリアの電場誘起ESR(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGS-9 電場誘起ESR観測による面内配向性を有する高分子FETの分子配向評価(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGS-5 導電性高分子の電界効果トランジスタにおける4端子測定(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGS-7 高移動度ルブレン単結晶トランジスタの半導体界面状態の電子スピン共鳴観測(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGS-11 フルオレンおよびビチオフェンの共重合高分子F8T2の電場誘起ESR(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGS-8 ペンタセンFETデバイスにおける電場誘起ESR信号の温度依存性(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26aYD-3 立体規則性ポリヘキシルチオフェン超薄膜を用いたFETデバイスの電場誘起ESR観測(界面・分子デバイス1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aTC-2 ハロゲン架橋複核金属錯体K_2[H_3NC_3H_6NH_3]Pt_2(pop)_4I・4H_2Oにおける結晶水着脱による電子相変化のESR観測(21aTC MMX・NI転移・π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aZB-1 擬一次元MMX錯体Pt_2(n-pentylCS_2)_4Iにおける光生成ソリトンのダイナミクス(25aZB 金属(架橋)鎖体/配位高分子,中性-陽性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTD-2 MMX錯体Pt_2(n-propylCS_2)_4Iの単結晶ESR(28pTD 金属架橋鎖,NI転移,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTD-1 擬一次元MMX錯体Pt_2(n-pentylCS_2)_4Iの光誘起ESR(28pTD 金属架橋鎖,NI転移,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aWB-8 新規NiPd混合金属錯体Ni_Pd_x(R,R-bn)_2Br_3のESR(導電性高分子,金属鎖(ポリマー,MX,MMX),領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYF-4 ESR法による二元系ハロゲン架橋複核金属錯体におけるカチオン置換効果の観測(27aYF 金属含有有機導体,MX系等,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pR-2 擬一次元ハロゲン架橋複核金属錯体Pt_2(dta)_4lのESR
• 23aTF-5 交互電荷分極相を有する二元系ハロゲン架橋複核金属錯体のESR観測(含金属有機導体/π-d系,領域7,分子性固体・有機導体)
• 27aYD-10 ヨウ素気相ドーピングされたルブレン単結晶の電子スピン共鳴(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30aYG-8 ペンタセンのMIS-FETデバイスにおける電場誘起キャリアのESR観測(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aYG-7 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴における界面修飾効果(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19pRG-12 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/脂肪酸混合LB膜の作製と評価(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30pRC-2 Langmuir-Blodgett(LB)法による立体規則性ポリアルキルチオフェン薄膜の作成と分子配向評価(30pRC 導電性高分子,共役系高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pTB-8 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴による界面分子配向観測(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pTG-7 ルブレン単結晶トランジスタの電子スピン共鳴(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pYC-1 有機超伝導体β-(BEDT-TTF)_2I_3の一軸性圧縮効果(電荷秩序,電荷揺らぎ,非線形伝導,領域7,分子性固体・有機導体)
• 13pWF-10 新規 Ladder 型ハロゲン架橋金属錯体の合成と物性(分子磁性体, ハロゲン架橋錯体, 領域 7)
• 23pXE-3 新規擬一次元ハロゲン架橋 MX 型 Ni 錯体の合成と物性
• 25pYK-9 メロシアニン色素混合LB膜におけるJ会合体形成と分子配向の評価(グラファイト, LB膜,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30pZA-8 擬一次元ハロゲン架橋複核金属錯体 Pt_2(η-BuCS_2)_4I の一軸性圧縮効果
• 24aRC-5 ハロゲン架橋Pd錯体[Pd(en)_2][Pd(en)_2Br](C_n-Y)_4における電子状態と相転移のアルキル鎖長依存性(分子磁性・金属架橋,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYD-4 立体規則性ポリチオフェン/可溶性フラーレン複合体における光キャリアの4分子再結合(界面・分子デバイス1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 13pWF-11 新規擬一次元ハロゲン架橋 Ni 錯体 [NiL_2Br]Br_2 の 3 次非線形光学応答(分子磁性体, ハロゲン架橋錯体, 領域 7)
• 30aWL-2 新規擬一次元ハロゲン架橋Ni錯体[NiL_2Br]Br_2(L:pn,bn)の合成と物性(M(M)X鎖・プロトン伝導)(領域7)
• 30aWL-1 STMによる擬一次元ハロゲン架橋金属錯体[Ni_Pd_x(chxn)_2Br]Br_2の局所電子構造の直接的観測(M(M)X鎖・プロトン伝導)(領域7)
• 26aYD-2 電界発光性高分子ポリフェニレンビニレン誘導体におけるキャリアのESR観測とFET特性(界面・分子デバイス1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYD-1 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/脂肪酸混合LB膜の作製とデバイス特性評価(界面・分子デバイス1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30aYG-10 パリレン絶縁膜を用いた立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体MISデバイスの電場誘起ESR(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aYG-9 立体規則性ポリヘキシルチオフェンMISデバイスにおける電場誘起ESRの温度依存性(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aTB-4 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体におけるアンバイポーラキャリアのESR観測 : PCBM濃度依存性(20aTB 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aTB-3 Si基板上に作成した高分子MIS-FETデバイスにおける電場誘起ポーラロンのESR観測(20aTB 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pTF-12 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体を用いたMISデバイスにおけるアンバイポーラキャリアのESR観測(TTF-TCNQ,中性イオン性転移高分子等,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aRC-6 立体規則性ポリオクチルチオフェン中の電場誘起ポーラロンのESR観測(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
• 19pRG-13 立体規則性ポリヘキシルチオフェンのトップコンタクト型MIS-FET特性と電場誘起ESR観測(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
• 19pRG-14 ESR法による高分子MISデバイス界面における分子配向評価 : 基板平滑度依存性(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYF-11 立体規則性ポリアルキルチオフェン薄膜・デバイス中のポーラロンのスピン間相互作用(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pRB-8 (DMET)_4CuCl_4(TCE)_2表面の半導体的電気伝導(ゼロギャップ・1次元系,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20pRJ-5 Cr錯体を含むDMET塩の低温電子状態(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20pRJ-4 (DMET)_4CuCl_4(TCE)_2の異方的電気伝導特性(π-d系・ESR・フェルミオロジー,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYF-4 (DMET)_4MCl_4(TCE)_2[M=Mn,Co,Cu,Zn]の低温電子状態(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aRB-5 (DMET)_4MCl_4(TCE)_2(M=Mn,Co,Zn)の金属絶縁体転移II(30aRB TTF関連,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pWB-5 (DMET)_4MCl_4(TCE)_2(M=Mn,Co,Zn)の金属絶縁体転移(π-d系,N-I移転,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pWB-4 (DMET)_4MCl_4(TCE)_2(M=Mn,Co,Cu,Zn)の電気伝導とESR(π-d系,N-I移転,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYK-6 Pt(chxn)_2I_3の電気伝導(金属鎖(MMX, MXなど),領域7(分子性固体・有機導体))
• 15aWH-11 2 価伝導体 (BEDT-TTF)Cu_2Br_4 の電子状態(ET 塩 : к型他, 領域 7)
• 23pRB-4 ナフタレンジイミド誘導体と擬一次元臭素架橋鉛錯体からなる分子性導体の物性と電子状態(23pRB 領域7,領域6,領域11合同 金属錯体・新物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-11 電場誘起ESR法による立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体デバイスの界面分子配向評価(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-10 導電性高分子F8T2の電場誘起ESRとそのアニール効果(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-8 高配向性を有する高分子超薄膜トランジスタの電場誘起ESR(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-7 高移動度低分子材料C_8-BTBTにおけるキャリアの電場誘起ESR観測(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-6 電場誘起ESRによるルブレン単結晶トランジスタ界面のトラップ状態解析(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-9 高移動度導電性高分子PBTTT及びそのフラーレン複合体におけるキャリアのESR観測(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25aRL-4 ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体の光電流 : キャリア再結合過程の温度依存性(25aRL 分子デバイス・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
• 19pRG-4 アルキル鎖を導入したハロゲン架橋Pd錯体[Pd(en)_2][Pd(en)_2Br_2](C_n-Y)_4の電子状態と相転移のESRによる研究(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
• 23pRB-4 ナフタレンジイミド誘導体と擬一次元臭素架橋鉛錯体からなる分子性導体の物性と電子状態(23pRB 領域7,領域6,領域11合同 金属錯体・新物質,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 23pRB-5 二元系ハロゲン架橋複核金属錯体の圧力下電気伝導 : 結晶水脱離効果(23pRB 領域7,領域6,領域11合同 金属錯体・新物質,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRB-5 二元系ハロゲン架橋複核金属錯体の圧力下電気伝導 : 結晶水脱離効果(23pRB 領域7,領域6,領域11合同 金属錯体・新物質,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 20aYG-8 ESR法によるハロゲン架橋Ni錯体の金属及びハロゲン置換効果
• 20aYG-6 Co(II)イオンを含むポルフィリン分子Co(tbp)とC_の共結晶のESR測定
• 23pRL-5 有機FET材料におけるESR g値の理論的研究II(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYK-10 ESR法によるMMX錯体Pt_2(n-propylCS_2)_4Iの電子状態の研究(金属鎖(MMX, MXなど),領域7(分子性固体・有機導体))
• 13pWF-9 MMX 錯体の伝導相の ESR II(分子磁性体, ハロゲン架橋錯体, 領域 7)
• 30aWL-6 MMX錯体の伝導相のESR(M(M)X鎖・プロトン伝導)(領域7)
• 23pXE-7 MMX 錯体 Pt_2(n-Pe nCS_2)_4I の電気伝導と圧力効果
• 23pXE-6 MMX 錯体 Pt_2(n-BuCS_2)_4I における電気伝導の異方性測定
• 30pZA-7 MMX 錯体 Pt_2(RCS_2)_4I (R=η-Bu, η-Pen) の単結晶 ESR
• 26pTF-13 平面性の高いポリチオフェン誘導体における光誘起ポーラロンのESR観測(TTF-TCNQ,中性イオン性転移高分子等,領域7,分子性固体・有機導体)
• 20aTB-2 SiO_2基板を用いた立体規則性ポリヘキシルチオフェン/脂肪酸混合LB膜の作製とデバイス特性評価(20aTB 導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYG-7 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/PCBM複合体における光電流の光強度依存性 : PCBM濃度とアニール効果(27pYG 中性イオン性転移,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 26pTF-10 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/フラーレン複合体の光電流と光キャリアダイナミクス(TTF-TCNQ,中性イオン性転移高分子等,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aRC-4 立体規則性ポリヘキシルチオフェン/可溶性フラーレン複合体における光誘起ESR-フラーレン濃度依存性(導電性高分子・分子デバイス,領域7,分子性固体・有機導体)
• 19pRG-15 立体規則性ポリアルキルチオフェンと可溶性C_誘導体との複合体における光誘起ESR(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
• 19pRG-11 ジベンゾチオフェン(DBT)、及びフェニレンジアミン(PDA)骨格を持つ電界発光性高分子DBT-PDA共重合体/C_複合体の光誘起ESR(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25aYF-8 立体規則性ポリアルキルチオフェン/C_複合体中における光生成ポーラロンの再結合過程 : アルキル鎖長依存性(25aYF π-d系,高圧物性,導電性高分子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pXD-4 ヨウ素架橋複核白金錯体Pt_2(RCS_2)_4l(R=η-Bu, η-Pen)のESR
• 25pYG-1 ESR法によるハロゲン架橋金属錯体M(chxn)_2X_3 (M=Ni, Pd, X=CI, Br)のハロゲン置換効果
• 25pR-8 擬一次元ハロゲン架橋金属錯体Ni_Pd_x(chxn)_2Br_3単結晶の電子スピン共鳴 II
• 26pE-8 擬一次元ハロゲン架橋複核金属錯体R_4[Pt_2(pop)_4l] (P=Li, Na, K, NH_4, Rb, Cs)の電子スピン共鳴 II
• 26pE-7 擬一次元ハロゲン架橋金属錯体 NI_Pd_x(chxn)_2Br_3単結晶の電子スピン共鳴
• 30-p-XB-4 ハロゲン架橋金属錯体Ni_1-XPd_X(chxn)_2Br_3の電子スピン共鳴
• 25p-YN-4 擬一次元ハロゲン架橋金属錯体Ni_Pd_x(chxn)_2Br_3(0≦x≦1)の電子スピン共鳴II
• 28aTN-9 フルオレン-ビチオフェン共重合体に対するオリゴマー計算(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTN-8 ポリフェニレンビニレン誘導体FETにおけるキャリアの電場誘起ESR観測(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTN-7 C_8-BTBTのFETデバイスにおける電場誘起ESR信号のシミュレーション解析(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTN-7 高移動度導電性高分子PBTTTの低温4端子電界効果トランジスタ測定(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aTG-2 導電性高分子MEH-PPV/PCBM複合体における光電流 : キャリア再結合過程(24aTG 導電性高分子・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aTG-3 導電性高分子PBTTT/PCBM複合体の光誘起ESR(24aTG 導電性高分子・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pTG-9 面内配向性を有するMEH-PPV超薄膜トランジスタの移動度異方性(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pTG-8 有機電界効果トランジスタの動作状態における電場誘起キャリアのESR観測(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pTG-7 C_8-BTBTを用いた高移動度有機FETにおける電場誘起ESRの低温観測(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aTQ-4 β型有機超伝導体の一軸性圧縮効果 : 圧縮方向依存性(21aTQ 有機超伝導(その1),領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aTG-1 イオンゲルゲートトランジスタを用いたポリ(3-ヘキシルチオフェン)の電気伝導特性(24aTG 導電性高分子・DNA,領域7(分子性固体・有機導体))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク