川本 徹 | 産総研
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概要
関連著者
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川本 徹
産総研
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川本 徹
産総研ナノシステム
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川本 徹
産総研ナノテク
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徳本 圓
防衛大
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Omerzu A.
Jozef Stefan Inst
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Mihailovic D.
Jozef Stefan Inst
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Mihailovic D.
Jozef Stefan Inst.
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Omerzu A.
Jozef Stefan Inst.
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川本 徹
電総研
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溝口 憲治
都立大理
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坂本 浩一
都立大理
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徳本 圓
電子技術総合研究所
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坂本 浩一
首都大理工
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阿部 修治
電総研
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徳本 圓
産総研ナノテク
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阿部 修治
産総研ナノテク
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溝口 憲治
首都大理工
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徳本 圓
電総研
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町野 正佳
都立大理
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阿部 修治
産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門
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荒木 理美
首都大理工
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下位 幸弘
産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門
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坂野 貴子
産総研ナノテク:ナノ機能合成プロジェクト
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下位 幸弘
産総研ナノテク部門ナノ機能合成研究体:分子研
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井上 政信
首都大理工
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神戸 高志
岡大院自然
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田中 寿
産総研
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栗原 正人
山形大理
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坂本 政臣
山形大理
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坂本 政臣
山形大院理工
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坂本 政臣
山形大学理学部物質生命化学科
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田中 寿
産総研ナノテク
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山田 真実
東京農工大
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石井 知彦
都立大理
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下位 幸弘
電総研
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竹井 正人
都立大理
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石井 知彦
香川大工
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坂野 貴子
電総研
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田中 寿
産総研ナノシステム
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坂本 政臣
Department Of Material And Biological Chemistry Faculty Of Science Yamagata University
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坂本 政臣
山形大学大学院理工学研究科
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神戸 高志
岡山大学大学院自然科学研究科
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鈴木 直
阪大基礎工
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三宅 幹夫
School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology
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浅井 美博
電総研
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原 茂生
中大理工
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谷垣 勝巳
東北大理
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山下 正広
都立大理
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三宅 幹夫
北陸先端大
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原 茂生
産総研ナノテク
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山田 真実
北陸先端大
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三宅 幹夫
School Of Materials Science Japan Advanced Institute Of Science And Technology
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小坂 真由美
Nec基礎研
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楠野 順弘
阪大基礎工
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小林 成徳
都立大理
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谷垣 勝巳
大阪市大
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Mihailovic Dragan
Josef Stefan Inst.
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小林 成徳
都立大院理
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楠野 順弘
阪大基礎工:日立製作所日立研
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鈴木 直
大阪大学 基礎工学部
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三宅 幹夫
北陸先端科学技術大学院大学
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神戸 高志
岡山大院自然
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草部 浩一
阪大基礎工
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小島 憲道
東大教養
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徳本 圓
防衛大応物
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古川 貢
分子研
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山内 文貴
首都大理工
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下位 幸弘
産総研ナノテク
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守友 浩
名大工
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阿部 修治
産業技術総合研究所
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渡辺 英一
産総研ナノテク
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加藤 立久
城西大理
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仲本 亜希雄
東大教養
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守友 浩
名大工&PRESTO
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劉 暁俊
名大工&PRESTO
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劉 暁俊
南京大学
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加藤 立久
分子研
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池田 太一
(独)物質・材料研究機構ナノ有機センター
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池本 圓
産総研ナノテク
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井上 政信
都立大理
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三宅 晃司
産総研先進製造
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浅川 真澄
産総研界面ナノ研セ
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池田 太一
産総研界面ナノ研セ
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川本 徹
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門, ナノ機能合成プロジェクト
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阿部 修治
ナノ機能合成プロジェクト
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Omerzu Ales
Josef Stefan Inst.
-
Omerzh Ales
Josef Stefan Inst.
-
坂野 貴子
産総研ナノテク部門
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下位 幸弘
産総研ナノシステム
著作論文
- 20aGR-6 TDAE-C_の有機強磁性に対する一軸性歪み効果IV(20aGR フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25pYE-1 TDAE-C_の有機強磁性に対する一軸性歪み効果III(フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYG-7 TDAE-C_の有機強磁性に対する一軸性歪み効果II(27aYG フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aWF-5 TDAE-C_の有機強磁性に対する一軸歪み効果(22aWF フラーレン・その他,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pRG-8 プルシアンブルー型錯体ナノ粒子を用いた薄膜作成とその物性II(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 25aZB-7 プルシアンブルー型錯体ナノ粒子の分子添加による磁性制御(25aZB 金属(架橋)鎖体/配位高分子,中性-陽性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aZB-6 プルシアンブルー型錯体ナノ粒子を用いた薄膜作成とその物性(25aZB 金属(架橋)鎖体/配位高分子,中性-陽性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aXD-11 圧力下でのTDAE-C_のESR
- 25pYF-15 圧力下でのTDAE-C_のESR
- 28pYE-3 スピンクロスオーバー錯体における高スピン密度の相転移
- 15pXE-12 グラファイト表面吸着分子の STM 像 : 半経験的分子軌道法による計算(表面界面電子物性, 領域 9)
- 27pRC-9 有機強磁性体TDAE-C_の一軸歪みESR(27pRC フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aXA-1 有機強磁性体TDAE-C_の一軸歪みESR(フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aYD-10 錯体超微粒子における光誘起スピン転移の理論(光誘起相転移,領域5(光物性))
- 27aYK-3 金属錯体ナノ粒子のスピン転移に関する理論(分子磁性, 高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYK-1 有機強磁性体TDAE-C_の一軸加圧ESR(分子磁性, 高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 14aXA-11 双安定物質の光励起下における動的相転移の理論(光誘起相転移, 領域 5)
- 28aWN-8 TDAE-C_の強磁性に対する一軸性ひずみ効果IV(フラーレン固体物性)(領域7)
- ナノ構造化による高効率光誘起相転移の理論的提案
- 20aPS-56 単一分子電気伝導の構造依存性に関する理論的研究
- 22aXG-7 半経験的分子軌道法を用いた単一分子電気伝導の計算
- 21pXF-2 TDAE-C_ の強磁性に対する一軸性ひずみ効果 III
- 20aTB-8 光誘起構造相転移の分子動力学的研究
- 23pTC-7 C_強磁性体の発現機構
- 23pTC-7 C_強磁性体の発現機構
- 23aS-6 圧力下でのTDAE-C_のESR
- 22aM-10 鉄コバルト錯体における光誘起相転移の発現機構(II)
- 28p-ZG-7 鉄コバルト錯体における光誘起相転移の発現機構
- 29pZB-11 TDAE-C_ の強磁性に対する一軸圧効果
- 18aWF-5 電荷移動錯体の中性 : イオン性転移におけるステージング構造
- 30pYX-5 電荷移動錯体の中性-イオン性転移における鎖間相互作用II
- 23pRA-5 光誘起相転移物質TTF-CAにおける静電相互作用
- 23aRA-11 電荷移動錯体の中性-イオン性転移における鎖間相互作用
- 28pPSB-46 単一分子電気伝導度の構造及び磁場依存性
- ナノ構造を用いた高効率光誘起固体相変化材料に関する理論
- 19aRE-19 モンテカルロシミュレーションによる光誘起相転移の研究
- 28aYG-7 ナノ構造を用いた新しい光誘起相転移物質の設計
- 24pYC-15 光誘起相転移発現機構の分子動力学的研究(1)