Si(100)基板上Ge量子ドットの成長制御 : 極微量C原子による量子ドットのサイズ・密度・構造の制御
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概要
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The main purpose of this article is to describe a recent improvement of Ge crystal growth on nanometer scale. It has been reported that small amount of C atoms have a key role for controlling size and structure of the Ge dot. First, the effect of the C atoms deposited on the Si(100) substrates is reviewed. The C atoms were found to form Si-C alloy layer, on which the Ge growth mode was modified. Second, we propose a multi-step procedure on the basis of AFM and TEM characterization. Our key point is that the C submonolayers were incorporated at the interface between Ge wetting layers and Ge dot. This procedureachieves to control Ge dot size, structure and density on the Si(100) substrate.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2001-06-26
著者
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