3p-L-2 Ge Molten Diffusedトランジスタ
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
シリコンのホツトインプランデーシヨン : 半導体 (拡散・インプランテーション)
-
イオン打込みによるシリコン結晶の欠陥 : 半導体 (拡散・インプランテーション)
-
27p-Q-6 イオンビームを利用した新しい物貭の作製法
-
30a-K-12 超高濃度Si:Pの物性(II) : 電気的特性
-
2a-B-14 超高濃度Si: Pのfree carrier吸収
-
14p-A-4 Molten Diffused Processの解析 II
-
14p-A-3 Molten Diffused Processの解析 I
-
Molten Diffused Transistorの不純物濃度分布 : 半導体
-
11)GaAs FETマイクロ波発振器(テレビジョン無線技術研究会(第43回))
-
n-GaAsの高周波電界における輸送問題 : 半導体(不安定性)
-
Siのパルスレーザーアニール : エピタキシャル成長と不純物固溶 : 招待講演
-
GeおよびSiの結晶成長におけるConstitutional Supercooling : 半導体
-
縮退したGe単結晶における欠陥構造 : 半導体
-
ゲルマニウムの縮退した単結晶 : 半導体
-
ゲルマニウム単結晶中の転位のX線的観察 : 半導体
-
14a-A-10 リボン状単結晶内の不純物分布
-
SiH_4酸化法によるSiO_4膜 (IV) : 半導体 (表面)
-
SiH_4酸化法によるSiO_4膜 (III) : 半導体 (表面)
-
7a-L-6 Micro-Bond型微小接合の諸特性
-
14p-A-9 Ge合金接合のマイクロプラズマ
-
3p-L-7 合金型pn接合の電流分布直視法
-
3p-L-2 Ge Molten Diffusedトランジスタ
-
11a-M-9 インジウム薄層を合金したゲルマニウムpn接合の逆特性
-
トランジスタのFloating Potential : XX. 半導体
-
接合型トランジスタの直流特性 : XX. 半導体
-
20L-14 p-n接合周辺部の効果
-
19F-17 ゲルマニウムの表面再結合速度の測定
-
14p-A-2 融液拡散トランジスタのベース抵抗
-
ゲルマニウムおよびシリコンにおける不純物の飽和
-
Si単結晶中の転位 : 半導体
-
縮退したシリコン単結晶 : 半導体
-
4p-L-8 Si単結晶中の転位の観察
-
11a-M-11 Molten Diffusedトランジスタ
-
半導体へのイオン打込みによって発生した二次欠陥
-
Si中の伝導電子によるESR(半導体(スピンレゾナンス))
-
Si中の伝導電子によるESR.V : 半導体 : 雑
-
Si中の伝導電子によるESR.IV : 半導体 : マイクロ波
-
pn接合からの注入発光における再結合過程 : 半導体 : 表面
-
8a-F-8 Si中の伝導電子によるESR III
-
Si中の伝導電子によるESR II : 半導体(Si, Ge)
-
Ge中のAuの固溶度(半導体(拡散,エピタキシー)
-
Edited by R. K. Willardson and H. L. Goering: Compound Semiconductors, Vol. I. Preparation of III-V. Compounds, Reinhold Publishing Corp., New York, 1962, 553頁, 18.5×26cm, \10,000.
-
Ge, Si中の不純物の相互作用
-
タイトル無し
-
29C14 ゲルマニウムの正孔寿命測定法について(29C 半導体)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク