14p-A-3 Molten Diffused Processの解析 I

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1961-10-09

著者

• 飯田 進也

  日立中研

• 古寺 博

  日立中研

• 田内 省二

  日立中研

関連論文

• チョクラルスキ法で育成したサファイヤ単結晶の欠陥 : 融液成長と蒸着膜
• 5a-E-5 GaAsエピタキシャル層および界面のX線による観察
• 8p-N-10 GaAs成長層一基板における面状欠陥の観察
• GaAsエピタキシャル層の欠陥 : 結晶成長
• GaAsの針状結晶II : 半導体(結晶成長)
• GaAsの気相成長(1) : 半導体 : 気相成長
• GaAs-Geヘテロ接合の電気的特性I : 半導体 : ダイオード
• GeI_4を用いたGeの気相成長 : 半導体(エピタキシー)
• 14p-A-4 Molten Diffused Processの解析 II
• 14p-A-3 Molten Diffused Processの解析 I
• Molten Diffused Transistorの不純物濃度分布 : 半導体
• 11)GaAs FETマイクロ波発振器(テレビジョン無線技術研究会(第43回))
• n-GaAsの高周波電界における輸送問題 : 半導体(不安定性)
• GeおよびSiの結晶成長におけるConstitutional Supercooling : 半導体
• 縮退したGe単結晶における欠陥構造 : 半導体
• ゲルマニウムの縮退した単結晶 : 半導体
• ゲルマニウム単結晶中の転位のX線的観察 : 半導体
• 14a-A-10 リボン状単結晶内の不純物分布
• 3p-L-2 Ge Molten Diffusedトランジスタ
• 14p-A-2 融液拡散トランジスタのベース抵抗
• ゲルマニウムおよびシリコンにおける不純物の飽和
• Si単結晶中の転位 : 半導体
• 縮退したシリコン単結晶 : 半導体
• 4p-L-8 Si単結晶中の転位の観察
• 11a-M-11 Molten Diffusedトランジスタ
• Si中の伝導電子によるESR(半導体(スピンレゾナンス))
• Si中の伝導電子によるESR.V : 半導体 : 雑
• Si中の伝導電子によるESR.IV : 半導体 : マイクロ波
• pn接合からの注入発光における再結合過程 : 半導体 : 表面
• 8a-F-8 Si中の伝導電子によるESR III
• Si中の伝導電子によるESR II : 半導体(Si, Ge)
• Ge中のAuの固溶度(半導体(拡散,エピタキシー)
• Edited by R. K. Willardson and H. L. Goering: Compound Semiconductors, Vol. I. Preparation of III-V. Compounds, Reinhold Publishing Corp., New York, 1962, 553頁, 18.5×26cm, \10,000.
• Ge, Si中の不純物の相互作用

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク