GaAsの気相成長(1) : 半導体 : 気相成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1965-04-06
著者
関連論文
- チョクラルスキ法で育成したサファイヤ単結晶の欠陥 : 融液成長と蒸着膜
- 5a-E-5 GaAsエピタキシャル層および界面のX線による観察
- 8p-N-10 GaAs成長層一基板における面状欠陥の観察
- GaAsエピタキシャル層の欠陥 : 結晶成長
- GaAsの針状結晶II : 半導体(結晶成長)
- GaAsの気相成長(1) : 半導体 : 気相成長
- GaAs-Geヘテロ接合の電気的特性I : 半導体 : ダイオード
- GeI_4を用いたGeの気相成長 : 半導体(エピタキシー)
- 14p-A-4 Molten Diffused Processの解析 II
- 14p-A-3 Molten Diffused Processの解析 I
- Molten Diffused Transistorの不純物濃度分布 : 半導体