ゲルマニウム単結晶中の転位のX線的観察 : 半導体
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 8a-M-1 リチウムフェライトにおける不純物効果 (II)
- 14p-A-4 Molten Diffused Processの解析 II
- 14p-A-3 Molten Diffused Processの解析 I
- Molten Diffused Transistorの不純物濃度分布 : 半導体
- Si粉末の表面の磁気共鳴に及ぼす熱処理の効果 : 磁気共鳴
- GeおよびSiの結晶成長におけるConstitutional Supercooling : 半導体
- 6p-L-12 GaAs中の転位
- 14a-A-11 合金法によって作られた再結晶層の熱起電力測定
- トンネルダイオードを使った半導体の研究
- Germanium中のMicrotwinの可能な構造 : 半導体
- 縮退したGe単結晶における欠陥構造 : 半導体
- ゲルマニウムの縮退した単結晶 : 半導体
- ゲルマニウム単結晶中の転位のX線的観察 : 半導体
- 4a-L-4 ゲルマニウム単結晶中の転位のX線的観察
- 14a-A-10 リボン状単結晶内の不純物分布
- 3p-L-2 Ge Molten Diffusedトランジスタ
- 14p-A-2 融液拡散トランジスタのベース抵抗
- Ge単結晶の塑性変型とクラック : 格子欠陥
- 再結晶ゲルマニウムの成長錐 : 半導体
- ゲルマニウム再結晶層の縞状成長模様 : 半導体
- 4a-L-6 ゲルマニウム単結晶の成長機構と格子欠陥
- 4a-L-5 ゲルマニウムの(110)辷り
- 11a-M-2 ゲルマニウム再結晶層の欠陥構造
- 11a-M-1 ゲルマニウム単結晶の成長模様
- ゲルマニウムおよびシリコンにおける不純物の飽和
- Si単結晶中の転位 : 半導体
- 縮退したシリコン単結晶 : 半導体
- 4p-L-8 Si単結晶中の転位の観察
- 11a-M-11 Molten Diffusedトランジスタ
- ZnS螢光体のdeep trapのESR : 光物性
- PARAMAGNETIC RESONANCE SPECTRA OF Mn^ IN APATITE : 磁気共鳴
- ハロ燐酸カルシウム結晶中のM_n^の格子位置 : イオン結晶
- 3a-G-8 VO_2の相転移の観察II
- フェライトにおける不純物効果 I : 磁性 (酸化物)
- VO_2の相転移の顕微鏡観察 : 半導体 : 不純物伝導
- 6p-G-4 ハロ燐酸カルシウム中のMn^のエネルギー準位
- 9p-P-10 三回対称の結晶場のMn^のエネルギー準位