ハロ燐酸カルシウム結晶中のM_n^<++>の格子位置 : イオン結晶
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 8a-M-1 リチウムフェライトにおける不純物効果 (II)
- ゲルマニウム単結晶中の転位のX線的観察 : 半導体
- 4a-L-4 ゲルマニウム単結晶中の転位のX線的観察
- Ge単結晶の塑性変型とクラック : 格子欠陥
- 再結晶ゲルマニウムの成長錐 : 半導体
- ゲルマニウム再結晶層の縞状成長模様 : 半導体
- 4a-L-6 ゲルマニウム単結晶の成長機構と格子欠陥
- 4a-L-5 ゲルマニウムの(110)辷り
- 11a-M-2 ゲルマニウム再結晶層の欠陥構造
- 11a-M-1 ゲルマニウム単結晶の成長模様
- ZnS螢光体のdeep trapのESR : 光物性
- ZnS 螢光体における発光中心のESR : 光物性シンポジウム : II〜VI 化合物の光物性
- 4a-H-6 Effect of Oxygn upon the Luminesant Center in Self-activated ZnS Phosphor
- PARAMAGNETIC RESONANCE SPECTRA OF Mn^ IN APATITE : 磁気共鳴
- ハロ燐酸カルシウム結晶中のM_n^の格子位置 : イオン結晶
- 3a-G-8 VO_2の相転移の観察II
- フェライトにおける不純物効果 I : 磁性 (酸化物)
- VO_2の相転移の顕微鏡観察 : 半導体 : 不純物伝導
- 6p-G-4 ハロ燐酸カルシウム中のMn^のエネルギー準位
- 9p-P-10 三回対称の結晶場のMn^のエネルギー準位