古寺 博 | 日立中研
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概要
関連著者
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古寺 博
日立中研
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田内 省二
日立中研
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飯田 進也
日立中研
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庄司 雅一
日立中研
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中村 道治
日立中研
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上田 浩
日立中研
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金子 洋一
日立製作所中央研究所
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金子 洋一
日立
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徳山 巍
日立中研
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前田 稔
株式会社日立製作所 中央研究所
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前田 稔
日立
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古寺 博
日立
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佐藤 興吾
日立中研
著作論文
- 14p-A-4 Molten Diffused Processの解析 II
- 14p-A-3 Molten Diffused Processの解析 I
- Molten Diffused Transistorの不純物濃度分布 : 半導体
- 11)GaAs FETマイクロ波発振器(テレビジョン無線技術研究会(第43回))
- n-GaAsの高周波電界における輸送問題 : 半導体(不安定性)
- GeおよびSiの結晶成長におけるConstitutional Supercooling : 半導体
- 縮退したGe単結晶における欠陥構造 : 半導体
- 3p-L-2 Ge Molten Diffusedトランジスタ
- Si単結晶中の転位 : 半導体
- 縮退したシリコン単結晶 : 半導体
- 4p-L-8 Si単結晶中の転位の観察
- 11a-M-11 Molten Diffusedトランジスタ
- Si中の伝導電子によるESR(半導体(スピンレゾナンス))
- Si中の伝導電子によるESR.V : 半導体 : 雑
- Si中の伝導電子によるESR.IV : 半導体 : マイクロ波
- pn接合からの注入発光における再結合過程 : 半導体 : 表面
- 8a-F-8 Si中の伝導電子によるESR III
- Si中の伝導電子によるESR II : 半導体(Si, Ge)
- Ge中のAuの固溶度(半導体(拡散,エピタキシー)
- Edited by R. K. Willardson and H. L. Goering: Compound Semiconductors, Vol. I. Preparation of III-V. Compounds, Reinhold Publishing Corp., New York, 1962, 553頁, 18.5×26cm, \10,000.
- Ge, Si中の不純物の相互作用