27p-Q-6 イオンビームを利用した新しい物貭の作製法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1980-03-12
著者
関連論文
- シリコンのホツトインプランデーシヨン : 半導体 (拡散・インプランテーション)
- イオン打込みによるシリコン結晶の欠陥 : 半導体 (拡散・インプランテーション)
- 27p-Q-6 イオンビームを利用した新しい物貭の作製法
- イオンを使った新しい物質形成法
- 30a-K-12 超高濃度Si:Pの物性(II) : 電気的特性
- 2a-B-14 超高濃度Si: Pのfree carrier吸収
- ドライエッチング法による微細加工 (電子材料特集号) -- (プロセス技術)
- Siのパルスレーザーアニール : エピタキシャル成長と不純物固溶 : 招待講演
- イオンプレ-ティング--イオンビ-ム法 (イオンを用いる薄膜作製技術(技術ノ-ト))
- VLSI製造に応用される励起ビ-ムと固体表面との相互作用 (〔日本質量分析学会〕イオン反応研究部会報告集)
- SiH_4酸化法によるSiO_4膜 (IV) : 半導体 (表面)
- SiH_4酸化法によるSiO_4膜 (III) : 半導体 (表面)
- 7a-L-6 Micro-Bond型微小接合の諸特性
- 14p-A-9 Ge合金接合のマイクロプラズマ
- 3p-L-7 合金型pn接合の電流分布直視法
- 3p-L-2 Ge Molten Diffusedトランジスタ
- 11a-M-9 インジウム薄層を合金したゲルマニウムpn接合の逆特性
- トランジスタのFloating Potential : XX. 半導体
- 接合型トランジスタの直流特性 : XX. 半導体
- 20L-14 p-n接合周辺部の効果
- 19F-17 ゲルマニウムの表面再結合速度の測定
- 半導体へのイオン打込みによって発生した二次欠陥
- タイトル無し
- 29C14 ゲルマニウムの正孔寿命測定法について(29C 半導体)