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徳山 巍 | 日立製作所中央研究所
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田内 省二
日立製作所武蔵工場
著作論文
イオン打込み法によるSi素子製作技術
n型ゲルマニウムの正孔寿命の雰囲気による影響 : 半導体(実験)
イオンビーム打込みによるpn接合の形成
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