イオン打込み法によるSi素子製作技術

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概要

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• イオン打込み法を, Siに対する活性不純物の導入手段と考えた場合の利害, 得失を, 従来技術と比較し, いかなる応用分野がひらけるものかを論じた.また, われわれが過去数年間に得た実験の結果と, 他の機関における最近の研究成果を要約し, Si素子製作技術としての現時点での特徴を明らかにした.

• 社団法人映像情報メディア学会の論文
• 1971-06-01

著者

• 徳山 巍

  日立製作所中央研究所

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