ゲルマニウム単結晶の成長模様 : XX. 半導体
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1959-03-31
著者
関連論文
- 半導体をめぐって
- GeI_4を用いたGeの気相成長 : 半導体(エピタキシー)
- 3a-G-2 非対称反射によるX線回折像の変化
- Si HomoepitasyのMisfit Dislocation II : X線, 粒子線
- ゲルマニウムに対するインジウム融液の濡れ : XX. 半導体
- ゲルマニウム単結晶の成長 : XX. 半導体
- ゲルマニウム単結晶の成長模様 : XX. 半導体
- n型ゲルマニウムの正孔寿命の雰囲気による影響 : 半導体(実験)
- 3p-L-7 合金型pn接合の電流分布直視法
- 11a-M-9 インジウム薄層を合金したゲルマニウムpn接合の逆特性
- 20L-14 p-n接合周辺部の効果
- 19F-17 ゲルマニウムの表面再結合速度の測定
- 14p-A-2 融液拡散トランジスタのベース抵抗
- 14p-A-1 2層合金型Ge PNPN素子のBreak over
- 半導体材料の精製ならびに結晶成長
- Ge単結晶の塑性変型とクラック : 格子欠陥
- 再結晶ゲルマニウムの成長錐 : 半導体
- ゲルマニウム再結晶層の縞状成長模様 : 半導体
- 4a-L-6 ゲルマニウム単結晶の成長機構と格子欠陥
- 4a-L-5 ゲルマニウムの(110)辷り
- 3p-L-4 Ge pnpnスイッチング素子
- 3p-L-3 偏析係数の時間的変化を利用したPn接合
- 11a-M-2 ゲルマニウム再結晶層の欠陥構造
- 11a-M-1 ゲルマニウム単結晶の成長模様
- 9p-G-5 Ge及びSiの結晶成長について
- 20L-15 インジウム薄膜を用いたゲルマニウムp-n接合の特性
- Si HomoepitasyのMisfit Dislocation I : X線, 粒子線
- 13p-H-5 集積回路用シリコン結晶への応用
- 非対称反射を用いた複結晶法による格子歪の観察 : X線・粒子線
- X線二結晶スペクトロメーターによる格子歪みの精密測定 : 格子欠陥
- シリコン結晶中の欠陥 : 格子欠陥
- 9a-M-11 シリコン中の欠陥構造
- 9p-K-6 X線二結晶スペクトロメーターによる格子歪みの場所的分布の精密測定
- 単結晶における格子歪みのX線による精密測定: 粒子線・X線
- 3結晶スペクトロメーターによる格子歪みの精密測定(X線)
- 6a-B-7 再成長Ge薄層中の転位
- 19L-22 再結晶ゲルマニウムの欠陥
- 16C15. セレン整流器の整流作用について
- 12. Se-Ag合金の温度 : 抵抗特性について