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伊藤 容吉 | 日立中研
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伊藤 容吉
日立中研
伴野 正美
日立中研
田内 省二
日立中研
高木 武
日立中研
橋本 哲一
日立中研
白坂 述彦
日立中研
著作論文
14p-A-2 融液拡散トランジスタのベース抵抗
Schottky障害のSi結晶面方位依存性 : 半導体 (表面)
Meta1-Si contactの特性(II) : 半導体(ダイオード)
Metal-Siliconコンタクトの諸特性 : 半導体 : ダイオード
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