植村 泰忠 | 東大理
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概要
関連著者
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植村 泰忠
東大理物理
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東大理
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東理大理
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筑波大学物質工学系
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東大理
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日大理工
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永井 澄明
日大理工習志野
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日大習志野
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東芝中研
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東大理
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物性研
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会誌編集委員:電試
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森田 章
東北大学理学部
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金井 康夫
ソニー
著作論文
- 6a-N-6 マグネトプラズマの弱い空間分散
- 半導体国際会議 (1966) の報告
- 座談会 : 社会に出た物理屋 社会に出る物理屋
- 創立100年記念事業始末記 : 創立100年記念事業実行委員会から(日本物理学会創立100年記念特別講演)
- 11p-L-7 強磁性BCC格子中での量子拡散とμ^+SR
- 6a-B-12 InSbのn-channel MOS反転層のサブバンド構造
- Si-n型(100)面反転層におけるValley分裂の強磁場下enhancement(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
- Wigner格子?(コメント)(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
- MOS界面の準二次元電子系(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
- Introductary Talk : M.O.S.反転層と液体ヘリウム表面の電子(「Theory of Excitations on Ideal Surfaces」報告,基研短期研究会)
- 3p-R-9 Si P型表面反転層の電子構造 : 多体効果
- 4a-Q-4 二原子分子線型鎖でのイオン伝導
- 14aM-8 強磁場下二次元表面反転層のホール効果
- Introductory Talk
- 4p-Q-3 半導体反転層の電気伝導
- 固体物理の教科書について
- 2a-N-7 半導体表面反転層の磁場中伝導(界面に垂直に磁場をかけた場合)
- 10p-A-9 交番電場下のhopping : 交番電場下の不純物伝導 2
- 10p-A-8 交番電場下の不純物伝導
- 4p-K-9 半導体表面反転層の電波磁気効果
- 6a-N-7 Combined OPW-tightbinding法によるグラファイトのπバンド
- 層状物質のバンド構造II : 二次元グラファイトのバンド構造 : 半導体(界面, 半金属)
- 層状物質のバンド構造I : 半導体(界面, 半金属)