永井 澄明 | 日大理工

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概要

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• 小林 正一

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• 福地 充

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• 中尾 憲司

  筑波大学物質工学系

• 中尾 憲司

  筑波大物質

• 成田 信男

  日大生産工

• Nakao Koichi

  Department Of Physics Faculty Of Science The University Of Tokyo:the Institute For Solid State Physi

• 塚田 捷

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  東大理物理

• 中尾 憲司

  東大理

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  東京理科大・理

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• 植村 泰忠

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著作論文

• 3p-B-3 一様電場下のブロッホ電子-局在解の存在
• 8a-M-9 bccEuのフェルミ面とらせん型スピン構造
• 7p-Y-6 金属Euのフェルミ面と磁性
• 24pF-16 カリウムをドープしたグラフィンの電子構造
• 25a-M-5 グラフィンの構造最適化と電子構造
• 10a-C-12 金属Euのバンド構造と磁性
• 5p-T-7 bcc金属Euのフェルミ面
• 14p-P-4 金属Euのフェルミ面
• 6p-KC-1 金属 Eu のバンド構造
• 6a-K-1 Eu^核のアイソマ・シフト
• 11a-R-12 bcc Eu金属のバンド構造 : グリーン関数法IV
• 7p-V-8 金属Euのバンド構造(グリーン関数法)III
• 8p-M-12 金属Euのバンド構造(グリーン関数法)
• 31p-TB-13 In_2Se_3のバンド構造
• 28p-B-1 KKR法によるIn_2Se_3のバンド構造 II
• 6a-N-7 Combined OPW-tightbinding法によるグラファイトのπバンド
• 層状物質のバンド構造II : 二次元グラファイトのバンド構造 : 半導体(界面, 半金属)
• 層状物質のバンド構造I : 半導体(界面, 半金属)
• 11p-H-13 外部磁場中の希薄合金の電気抵抗
• 29p-FB-13 KKR法によるIn_2Se_3のバンド構造(29p FB 半導体(グラファイトインターカレーション・層状物質))

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