植村 泰忠 | 東京理科大・理
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概要
関連著者
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植村 泰忠
東京理科大・理
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植村 泰忠
東理大理
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東大理 物理
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植村 泰忠
東大理物理
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東大理
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筑波大学物質工学系
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上村 洸
東大理
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大川 房義
東大理
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松本 幸雄
東大理
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塚田 捷
東大理
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中尾 憲司
東大理
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永井 澄明
日大理工
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宇田 毅
東大 理 物理
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永井 澄明
日大理工習志野
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永井 澄明
日大習志野
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菊池 実
東芝中研
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中山 正敏
東大 理
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赤羽 正志
東大理
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高橋 秀俊
東大理
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潮 秀樹
東大・理
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名取 研二
東大理
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大川 房義
東大 理
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菊池 実
東大理
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中山 正敏
東大理
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中村 輝太郎
物性研
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白鳥 紀一
東大物性研
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東工大理
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沢田 正三
中部工大
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芳田 奎
東大物性研
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佐々木 亘
東大理
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学習院大学
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細谷 資明
東大物性研
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上智大理工
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張 紀久夫
東大物性研
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阪大理
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日本電子光学
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電気試験所
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電気試験場
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東大物性研
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東大理物理
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上智大理工
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長崎 誠三
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お茶大
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東大物理4年
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東大 理 物理
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今竹 晃子
東大理
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宇田 毅
東大理物理
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張紀 久夫
東大理
著作論文
- 基礎と応用をつなぐもの
- 6a-N-6 マグネトプラズマの弱い空間分散
- 5p-H-7 固体プラズマのサイクロトロン共鳴と空間分散
- 圧電半導体のホット・エレクトロンの理論 : 半導体(不安定性)
- 2a-A-6 強磁場中におけるテルルの不純物状態
- 7p-Q-6 Teの不純物状態
- 座談会 : 社会に出た物理屋 社会に出る物理屋
- Sir Nevill Nott, A Life in Science, Taylor & Francis, London and Philadelphia, 1986, viii+198p., 23×15 cm, £15.00 [一般書]
- 日本物理学会編: 半導体超格子の物理と応用, 培風館, 東京, 1984, viii+310ページ, 21.5×15.5cm, 3,900円.
- 創立100年記念事業始末記 : 創立100年記念事業実行委員会から(日本物理学会創立100年記念特別講演)
- 31p-CA-13 MOS 反転層における強磁場下ホットエレクトロン効果
- 11p-L-7 強磁性BCC格子中での量子拡散とμ^+SR
- 6a-B-12 InSbのn-channel MOS反転層のサブバンド構造
- Si-n型(100)面反転層におけるValley分裂の強磁場下enhancement(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
- Wigner格子?(コメント)(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
- MOS界面の準二次元電子系(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
- 11a-F-2 Sin型(100)面表面反転層におけるValley-Orbit分裂 : 多体効果
- 11a-F-1 多谷有効質量近似の定式化とSin型(100)面表面反転層への適用
- Introductary Talk : M.O.S.反転層と液体ヘリウム表面の電子(「Theory of Excitations on Ideal Surfaces」報告,基研短期研究会)
- 3p-R-9 Si P型表面反転層の電子構造 : 多体効果
- 4a-Q-4 二原子分子線型鎖でのイオン伝導
- 14aM-8 強磁場下二次元表面反転層のホール効果
- Introductory Talk
- 4p-Q-3 半導体反転層の電気伝導
- 固体物理の教科書について
- 1a-F-13 無秩序系の一つのモデルとしての二次元強磁場中の電子状態
- 2a-N-7 半導体表面反転層の磁場中伝導(界面に垂直に磁場をかけた場合)
- 半導体と量子力学--MOSFETにみる量子的現象 (電気理論に果す量子物理学の役割)
- 16C-6 グラファイトの帯構造(綜合報告)
- 半導体素子に物理を見る(講義,講義の報告,1985年度物性若手夏の学校報告)
- 12月2日午前(「Theory of Excitations on Ideal Surfaces」報告,基研短期研究会)
- 一般報告 (第二回国際夏の学校に関する報告)
- 静磁場をかけた半導体の電子分布
- 物理学の方向--20世紀における発展から-19-20世紀と半導体--応用と支えあう物理
- 10p-A-9 交番電場下のhopping : 交番電場下の不純物伝導 2
- 10p-A-8 交番電場下の不純物伝導
- 4p-K-9 半導体表面反転層の電波磁気効果
- 1a-N-13 グラファイトのサイクロトロン共鳴 II
- 1a-N-12 グラファイトのサイクロトロン共鳴 I
- KCl,KBrのU_2中心の電子状態 : イオン結晶・光物性 : 色中心・不純物中心
- 6a-N-7 Combined OPW-tightbinding法によるグラファイトのπバンド
- 層状物質のバンド構造II : 二次元グラファイトのバンド構造 : 半導体(界面, 半金属)
- 層状物質のバンド構造I : 半導体(界面, 半金属)
- 1a-TC-6 不純物帯の誘電函数
- 15p-A-13 グラファイトの遠赤外での光学的性質
- 15p-A-12 グラファイトの光吸収と圧力効果
- 5a-M-3 固体マグネトプラズマの空間分散
- Australia と New Zealand の物理教室を訪ねて
- KCI,KBr中のU_2中心の電子構造II : イオン結晶・光物性
- Journal 19巻の編集を了えて
- PbTeサイクロトロン共鳴の解析 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
- 固体電子論(昭和38年度における各専門分野研究活動の展望)
- N.B.Hannay編: Semiconductors. American Chemical Society Monograph Series No. 140, Reinhold Publishing Corporation, New York 1959, 767頁 (邦価6000円) $ 15.00.