11a-F-1 多谷有効質量近似の定式化とSin型(100)面表面反転層への適用

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1975-09-12

著者

• 植村 泰忠

  東大 理

• 植村 泰忠

  東理大理

• 植村 泰忠

  東京理科大・理

• 大川 房義

  東大理

• 大川 房義

  東大 理

関連論文

• 基礎と応用をつなぐもの
• 6a-N-6 マグネトプラズマの弱い空間分散
• 5p-H-7 固体プラズマのサイクロトロン共鳴と空間分散
• 圧電半導体のホット・エレクトロンの理論 : 半導体(不安定性)
• 2a-A-6 強磁場中におけるテルルの不純物状態
• 7p-Q-6 Teの不純物状態
• 座談会 : 社会に出た物理屋 社会に出る物理屋
• Sir Nevill Nott, A Life in Science, Taylor & Francis, London and Philadelphia, 1986, viii+198p., 23×15 cm, £15.00 [一般書]
• 日本物理学会編: 半導体超格子の物理と応用, 培風館, 東京, 1984, viii+310ページ, 21.5×15.5cm, 3,900円.
• 創立100年記念事業始末記 : 創立100年記念事業実行委員会から(日本物理学会創立100年記念特別講演)
• 31p-CA-13 MOS 反転層における強磁場下ホットエレクトロン効果
• 11p-L-7 強磁性BCC格子中での量子拡散とμ^+SR
• 6a-B-12 InSbのn-channel MOS反転層のサブバンド構造
• Si-n型(100)面反転層におけるValley分裂の強磁場下enhancement(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
• Wigner格子?(コメント)(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
• MOS界面の準二次元電子系(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
• 11a-F-2 Sin型(100)面表面反転層におけるValley-Orbit分裂 : 多体効果
• 11a-F-1 多谷有効質量近似の定式化とSin型(100)面表面反転層への適用
• Introductary Talk : M.O.S.反転層と液体ヘリウム表面の電子(「Theory of Excitations on Ideal Surfaces」報告,基研短期研究会)
• 3p-R-9 Si P型表面反転層の電子構造 : 多体効果
• 4a-Q-4 二原子分子線型鎖でのイオン伝導
• 14aM-8 強磁場下二次元表面反転層のホール効果
• Introductory Talk
• 4p-Q-3 半導体反転層の電気伝導
• 固体物理の教科書について
• 1a-F-13 無秩序系の一つのモデルとしての二次元強磁場中の電子状態
• 2a-N-7 半導体表面反転層の磁場中伝導(界面に垂直に磁場をかけた場合)
• 半導体と量子力学--MOSFETにみる量子的現象 (電気理論に果す量子物理学の役割)
• 16C-6 グラファイトの帯構造(綜合報告)
• 10B14 静磁場をかけた半導体の電子分布
• 半導体素子に物理を見る(講義,講義の報告,1985年度物性若手夏の学校報告)
• 12月2日午前(「Theory of Excitations on Ideal Surfaces」報告,基研短期研究会)
• 一般報告 (第二回国際夏の学校に関する報告)
• 静磁場をかけた半導体の電子分布
• 物理学の方向--20世紀における発展から-19-20世紀と半導体--応用と支えあう物理
• 10p-A-9 交番電場下のhopping : 交番電場下の不純物伝導 2
• 10p-A-8 交番電場下の不純物伝導
• 4p-K-9 半導体表面反転層の電波磁気効果
• 1a-N-13 グラファイトのサイクロトロン共鳴 II
• 1a-N-12 グラファイトのサイクロトロン共鳴 I
• KCl,KBrのU_2中心の電子状態 : イオン結晶・光物性 : 色中心・不純物中心
• 6a-N-7 Combined OPW-tightbinding法によるグラファイトのπバンド
• 層状物質のバンド構造II : 二次元グラファイトのバンド構造 : 半導体(界面, 半金属)
• 層状物質のバンド構造I : 半導体(界面, 半金属)
• 1a-TC-6 不純物帯の誘電函数
• 15p-A-13 グラファイトの遠赤外での光学的性質
• 15p-A-12 グラファイトの光吸収と圧力効果
• 5a-M-3 固体マグネトプラズマの空間分散
• Australia と New Zealand の物理教室を訪ねて
• KCI,KBr中のU_2中心の電子構造II : イオン結晶・光物性
• Journal 19巻の編集を了えて
• PbTeサイクロトロン共鳴の解析 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
• 固体電子論(昭和38年度における各専門分野研究活動の展望)
• N.B.Hannay編: Semiconductors. American Chemical Society Monograph Series No. 140, Reinhold Publishing Corporation, New York 1959, 767頁 (邦価6000円) $ 15.00.
• Si表面量子化状態の準粒子(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
• 5a-L-4 MOS上に実現される準二次元系における多体効果
• Siの(100)面n型表面量子化状態のvalley-orbit相互作用(「Theory of Excitations on Ideal Surfaces」報告,基研短期研究会)
• n型Si上のP型表面反転層のサブバンドの計算(100)面(「Theory of Excitations on Ideal Surfaces」報告,基研短期研究会)
• 14aM-4 Siのp型反転層のセルフコンシステントな計算
• Narrow Gap Semiconductor (NGS)表面反転層(基研短期研究会「固体内のフォノンおよび電子表面状態の理論」報告)
• 4a-M-3 Zinc Blend構造半導体の表面反転層におけるInterband効果

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク