Si表面量子化状態の準粒子(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。
- 物性研究刊行会の論文
- 1976-06-20
著者
関連論文
- Si-n型(100)面反転層におけるValley分裂の強磁場下enhancement(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
- 11a-F-2 Sin型(100)面表面反転層におけるValley-Orbit分裂 : 多体効果
- 11a-F-1 多谷有効質量近似の定式化とSin型(100)面表面反転層への適用
- 3p-R-9 Si P型表面反転層の電子構造 : 多体効果
- Si表面量子化状態の準粒子(「表面電子系の理論」報告,基研短期研究会)
- 5a-L-4 MOS上に実現される準二次元系における多体効果
- Siの(100)面n型表面量子化状態のvalley-orbit相互作用(「Theory of Excitations on Ideal Surfaces」報告,基研短期研究会)
- n型Si上のP型表面反転層のサブバンドの計算(100)面(「Theory of Excitations on Ideal Surfaces」報告,基研短期研究会)
- 14aM-4 Siのp型反転層のセルフコンシステントな計算
- Narrow Gap Semiconductor (NGS)表面反転層(基研短期研究会「固体内のフォノンおよび電子表面状態の理論」報告)
- 4a-M-3 Zinc Blend構造半導体の表面反転層におけるInterband効果