層状物質のバンド構造I : 半導体(界面, 半金属)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1968-10-13
著者
-
中尾 憲司
筑波大学物質工学系
-
塚田 捷
東大理
-
植村 泰忠
東大理物理
-
中尾 憲司
東大理
-
永井 澄明
日大理工
-
植村 泰忠
東理大理
-
植村 泰忠
東京理科大・理
-
永井 澄明
日大理工習志野
-
植村 泰忠
東大理 物理
-
永井 澄明
日大習志野
-
植村 泰忠
東大理
関連論文
- ビスマス鉄ガーネットの相対論的バンド計算
- 22pXG-12 電場効果ドーピングされた分子性固体の構造と電子状態の第一原理からの研究 IV
- 21pXF-16 ホールドープ C_ の超伝導に関する理論的研究 II
- アルカリ金属ドープC_における軌道自由度の役割(2002年度基研研究会「軌道自由度を持つ強相関電子系の理論の進展」,研究会報告)
- 29pZB-13 ホールドープ C_ の超伝導に関する理論的研究
- 28pYD-7 電場効果ドーピングされた分子性固体の構造と電子状態の第一原理からの研究 III
- バンド計算によるガーネットの磁気光学効果
- ビスマス鉄ガーネットのバンド計算
- Theoretical Study on Anomalous Behaviors in Photoemission Spectra of Alkali-Metal-Doped C_
- Role of Orbital Degree of Freedom in Photoemission Spectra of Alkali-Metal-Doped C60 (Proceedings of the International Conference on Strongly Correlated Electrons with Orbital Degrees of Freedom(ORBITAL2001))
- 18pWF-2 A_4C_における励起子の理論的研究
- 18pWF-1 アクセプター型C_化合物の電子状態計算II
- 30pXD-5 アクセプター型C_化合物の電子状態計算
- 30pXD-4 A_3C_の有限温度における光電子スペクトルの理論的研究
- 6p-E-6 アクセプター型GIC(AsF-GIC、Br-GIC)の電子構造
- 31p-R-6 Br-GICの電子状態 : アクセプター型GICとなる電荷移動のメカニズム
- 2a-YB-8 DNA塩基3量体の電子状態
- 7a-P-2 密度汎関数法によるDNA塩基のStacking Energyの計算
- 白川英樹名誉教授ノーベル賞受賞からのメッセージ
- 21aYE-5 固体表面上における DNA の変形と電気伝導
- 5a-PS-11 STM探針・表面間の電子移動とAFMのシミュレーション
- 3a-ZE-5 近接効果領域でのバリスティックな準粒子の振舞い
- 5p-B1-4 面内及び面間相互作用のある層状超伝導体
- 5p-B1-3 層状物質における超伝導理論
- 27pYQ-4 Si(111)√×√-Ag再構成表面の相転移とデバイワラー因子
- 24pPSA-18 Si(111)-√×√表面構造の対称性の破れに関するポテンシャル面
- 24pPSA-5 Si(111)√×√表面のDebye-Waller因子
- 24pW-14 Si(111)√3×√3-Ag表面の非接触AFM像の第一原理計算
- 28p-YR-3 Ag/Si(111)-√x√-Ag表面の構造と電子状態
- Charge Fluctuation in A_3C_(A=K and Rb) : Competition Between Electron-Electron and Electron-Phonon Interactions : Condensed Matter: Electronic Properties, etc.
- Many-Body Effects on the Density of States in Alkali-Metal-Doped C_
- 30a-J-12 フラーレンにおける多角形構造II : 多角形欠陥を含む極小曲面
- 30a-J-11 フラーレンにおける多角形構造I : 多角形欠陥およびらせん転位
- 25aS-7 密度汎関数法による固体Eu@C_の電子状態計算
- 25aS-5 相対論的LCAO法によるLa@C_結晶の電子状態 II
- 24aF-3 相対論的LCAO法によるLa@C_結晶の電子状態
- 1p-YJ-8 C_8Kのフェルミ画
- 28p-S-15 固体の構造最適化と電子状態計算への量子化学的アプローチ II : 混合基底法
- 28p-S-14 固体の構造最適化と電子状態計算への量子化学的アプローチ I : LCAO法
- 層間化合物とその物性 : グラファイト・アルカリ金属層間化合物を中心として
- 31p-BC-6 グラファイト・インターカレーション化合物の電子構造
- 5p-B-2 グラファイト・アルカリメタル層間化合物のバンド構造と電荷密度波の可能性
- 4a-RJ-5 Si(111)7×7面のModified Milk Stool模型の電子論的検討
- Si(111)7×7再構成表面の原子構造(計算機による固体相転移の研究,科研費研究会報告)
- 4p-NM-12 非断熱過程を含む動的吸着理論
- 3a-NM-10 金属面上における水素分子の解離吸着の力による解析
- 2a-NM-6 Si(III)表面上の空格子の形成エネルギーとそのまわりの歪-化学擬ポテンシャル法-
- 31a-J-8 Si(111)表面に吸着したAgの電子状態
- 30p-J-9 極性表面の電子状態
- 大学院における研究・教育の現状と問題点
- 3a GA-12 カリウム・グラファイト層間化合物C_8Kの電子構造
- 13a-E-20 カルコゲナイドガラスの電子状態 III
- 13a-E-19 カルコゲナイドガラスの電子状態 II
- 7p-Q-6 Teの不純物状態
- 国際会議「層状物質および層間化合物(インターカレート)」
- 6p-D-11 Na_xH_yC_の電子状態
- 30pXD-3 アルカリ金属ドープC_の相図の理論的研究
- 2p GC-4 電気伝導における電子 : 電子散乱の寄与
- 31a GD-11 NbSe_3のバンド構造
- 3p-DS-23 超格子内電子の磁気エネルギー構造
- 1a-LF-2 擬一次元系に於ける 電子 : 電子散乱による電気抵抗
- 31a-BH-12 グラファイトの0.8eV付近のピエゾスペクトル
- 7p-L-11 パイエルス転位における三次元構造変化
- 6a-R-9 一次元金属中の自由電子の光学的振舞--(SN)_x,TFF-TCNQの場合--
- 7a-Q-7 一次元金属(SN)_xポリマーのバンド構造II光学スペクトルの解析
- 5p-R-3 3回対称歪みを考慮したグラファイトのランダウ準位
- L. A. Girifalco : Statistical Physics of Materials, John Wiley, New York, 1973, 346ページ, 23.5×16cm, 8,120円.
- 11p-W-1 Ferroelectric Semiconductor SbSIの光スペクトルとバンド構造
- 1p-F-6 k-linear項とintraband magnetis breakdown
- 2p-N-6 磁場によって誘起されたTe価電子帯の非対称性
- 2次元励起子
- 23pS-5 動的平均場近似によるアルカリドープC_の電子状態II
- 23aZ-3 Scalar Relativistic LCAO法の新しい定式化
- A Scalar Relativistic Full-Potential LCAO Method
- 24pF-16 カリウムをドープしたグラフィンの電子構造
- 24pF-4 動的平均場近似によるアルカリドープC_の電子状態
- 24pF-3 金属ドープC_における価数と超伝導
- A Fully Relativistic Full-Potential LCAO Method for Solids
- 31a-XE-4 固体のためのfully relativistic full-potential LCAO法の開発
- C. Kittel著, 宇野良清, 津屋 昇, 森田 章, 山下次郎訳, 固体物理学入門 上・下, 第7版, 丸善, 東京, 1998, (上)xviii+386p., (下)viii+360p., 21×14.5cm, 本体各3,400円 [学部・大学院向]
- 25a-M-5 グラフィンの構造最適化と電子構造
- 1p-YX-12 高圧下固体酸素の構造最適化
- 29p-D-6 (AB_4)_3C_の電子物性予測
- 6a-N-7 Combined OPW-tightbinding法によるグラファイトのπバンド
- 層状物質のバンド構造II : 二次元グラファイトのバンド構造 : 半導体(界面, 半金属)
- 層状物質のバンド構造I : 半導体(界面, 半金属)
- 7p-Q-8 テルルの価電子帯間磁気光吸収
- テルル単結晶の価電子帯構造
- 2p-TC-11 Te系半導体理論的側面から
- 15a-A-17 テルル価電子帯のランダウ準位
- 15a-A-16 テルルの価電子帯構造と赤外吸収
- 9a-F-1 Theory of Magnetotunneling between k-linear induced valleys
- TeのNMRシフト : 半導体, イオン結晶, 光物性
- 二次元バンドにおけるindirect exciton : イオン結晶・光物性
- 4a-L-7 異方性結晶の光学スペクトルにおける電子正孔間相互作用
- 6p-G-3 層状物質のバント構造と光学的性質
- 帯間磁気光吸収における奇妙な振舞い : 半導体・イオン結晶・光物性
- GaSe 型半導体
- 層状半導体のバンド構造 : 半導体 : 輸送
- 9a-F-1 グラファイト中の不純物の電子状態