2p-TC-11 Te系半導体理論的側面から

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1970-04-01

著者

• 中尾 憲司

  筑波大学物質工学系

• 上村 洸

  東大理

• 中尾 憲司

  東大理

• 土井 高夫

  都立大理

• 土井 高夫

  東大理

関連論文

• ビスマス鉄ガーネットの相対論的バンド計算
• 22pXG-12 電場効果ドーピングされた分子性固体の構造と電子状態の第一原理からの研究 IV
• 21pXF-16 ホールドープ C_ の超伝導に関する理論的研究 II
• アルカリ金属ドープC_における軌道自由度の役割(2002年度基研研究会「軌道自由度を持つ強相関電子系の理論の進展」,研究会報告)
• 29pZB-13 ホールドープ C_ の超伝導に関する理論的研究
• 28pYD-7 電場効果ドーピングされた分子性固体の構造と電子状態の第一原理からの研究 III
• バンド計算によるガーネットの磁気光学効果
• ビスマス鉄ガーネットのバンド計算
• Theoretical Study on Anomalous Behaviors in Photoemission Spectra of Alkali-Metal-Doped C_
• Role of Orbital Degree of Freedom in Photoemission Spectra of Alkali-Metal-Doped C60 (Proceedings of the International Conference on Strongly Correlated Electrons with Orbital Degrees of Freedom(ORBITAL2001))
• 18pWF-2 A_4C_における励起子の理論的研究
• 18pWF-1 アクセプター型C_化合物の電子状態計算II
• 30pXD-5 アクセプター型C_化合物の電子状態計算
• 30pXD-4 A_3C_の有限温度における光電子スペクトルの理論的研究
• 6p-E-6 アクセプター型GIC(AsF-GIC、Br-GIC)の電子構造
• 31p-R-6 Br-GICの電子状態 : アクセプター型GICとなる電荷移動のメカニズム
• 2a-YB-8 DNA塩基3量体の電子状態
• 7a-P-2 密度汎関数法によるDNA塩基のStacking Energyの計算
• 白川英樹名誉教授ノーベル賞受賞からのメッセージ
• スピンに依存したフォノン・ラマン散乱
• 13p-M-6 強磁性半導体におけるフォノン・ラマン散乱の理論
• 6a-P-9 K_2NiF_4型反強磁性体のマグノンサイドバンドと励起子分散
• 28a-M-9 アンダーソン局在相における分極関数とマグネト・キャパシタンス
• 2a-F-5 1T-TaS_2系における磁気抵抗と比熱の異常
• Charge Fluctuation in A_3C_(A=K and Rb) : Competition Between Electron-Electron and Electron-Phonon Interactions : Condensed Matter: Electronic Properties, etc.
• Many-Body Effects on the Density of States in Alkali-Metal-Doped C_
• 弟子からみた小谷正雄先生の研究業績
• 25aS-7 密度汎関数法による固体Eu@C_の電子状態計算
• 25aS-5 相対論的LCAO法によるLa@C_結晶の電子状態 II
• 24aF-3 相対論的LCAO法によるLa@C_結晶の電子状態
• 1p-YJ-8 C_8Kのフェルミ画
• 28p-S-15 固体の構造最適化と電子状態計算への量子化学的アプローチ II : 混合基底法
• 28p-S-14 固体の構造最適化と電子状態計算への量子化学的アプローチ I : LCAO法
• 29p-L-5 低次元物質の電子状態と低温物性 (最近の興味ある超伝導物質)
• 層間化合物とその物性 : グラファイト・アルカリ金属層間化合物を中心として
• 31p-BC-6 グラファイト・インターカレーション化合物の電子構造
• 5p-B-2 グラファイト・アルカリメタル層間化合物のバンド構造と電荷密度波の可能性
• 2p-A-8 GICの軌道帯磁率 : ステージ依存性
• 4a-KH-10 GICの軌道帯磁率
• 30a-G-6 (CH)_xのバイブロニック状態とESRスペクトル
• 31p-K-8 共役鎖状分子(CH)_xのバイブロニック状態
• 大学院における研究・教育の現状と問題点
• 12p-E-8 インターカレーション化合物 8. : 層間電荷分布と磁気的性質
• 31p-K-14 高ステージ・グラファイト層間化合物の密度汎関数法によるバンド計算
• 3a GA-12 カリウム・グラファイト層間化合物C_8Kの電子構造
• 13a-E-20 カルコゲナイドガラスの電子状態 III
• 13a-E-19 カルコゲナイドガラスの電子状態 II
• 点群と固体分光学への応用 : 測地線
• 2a-F-3 ホウ素の電子構造
• 6a-E4-6 ペンローズ格子における量子ホール効果
• 磁場中2次元ペンローズ格子の電子状態
• 11a-Q-8 半導体の施光分散 : Te の場合
• 7p-Q-6 Teの不純物状態
• 3p-ZE-16 補償Si:P系の電子状態のシミュレーション(2)
• 国際会議「層状物質および層間化合物(インターカレート)」
• 6p-D-11 Na_xH_yC_の電子状態
• 30pXD-3 アルカリ金属ドープC_の相図の理論的研究
• 2p GC-4 電気伝導における電子 : 電子散乱の寄与
• 31a GD-11 NbSe_3のバンド構造
• 3p-DS-23 超格子内電子の磁気エネルギー構造
• 1a-LF-2 擬一次元系に於ける 電子 : 電子散乱による電気抵抗
• 31a-BH-12 グラファイトの0.8eV付近のピエゾスペクトル
• 7p-L-11 パイエルス転位における三次元構造変化
• 6a-R-9 一次元金属中の自由電子の光学的振舞--(SN)_x,TFF-TCNQの場合--
• 7a-Q-7 一次元金属(SN)_xポリマーのバンド構造II光学スペクトルの解析
• 5p-R-3 3回対称歪みを考慮したグラファイトのランダウ準位
• L. A. Girifalco : Statistical Physics of Materials, John Wiley, New York, 1973, 346ページ, 23.5×16cm, 8,120円.
• 11p-W-1 Ferroelectric Semiconductor SbSIの光スペクトルとバンド構造
• 1p-F-6 k-linear項とintraband magnetis breakdown
• 2p-N-6 磁場によって誘起されたTe価電子帯の非対称性
• 2次元励起子
• 23pS-5 動的平均場近似によるアルカリドープC_の電子状態II
• 23aZ-3 Scalar Relativistic LCAO法の新しい定式化
• A Scalar Relativistic Full-Potential LCAO Method
• 24pF-16 カリウムをドープしたグラフィンの電子構造
• 24pF-4 動的平均場近似によるアルカリドープC_の電子状態
• 24pF-3 金属ドープC_における価数と超伝導
• A Fully Relativistic Full-Potential LCAO Method for Solids
• 31a-XE-4 固体のためのfully relativistic full-potential LCAO法の開発
• C. Kittel著, 宇野良清, 津屋 昇, 森田 章, 山下次郎訳, 固体物理学入門 上・下, 第7版, 丸善, 東京, 1998, (上)xviii+386p., (下)viii+360p., 21×14.5cm, 本体各3,400円 [学部・大学院向]
• 25a-M-5 グラフィンの構造最適化と電子構造
• 1p-YX-12 高圧下固体酸素の構造最適化
• 29p-D-6 (AB_4)_3C_の電子物性予測
• 6a-N-7 Combined OPW-tightbinding法によるグラファイトのπバンド
• 層状物質のバンド構造II : 二次元グラファイトのバンド構造 : 半導体(界面, 半金属)
• 層状物質のバンド構造I : 半導体(界面, 半金属)
• 7p-Q-8 テルルの価電子帯間磁気光吸収
• テルル単結晶の価電子帯構造
• 2p-TC-11 Te系半導体理論的側面から
• 15a-A-17 テルル価電子帯のランダウ準位
• 15a-A-16 テルルの価電子帯構造と赤外吸収
• 9a-F-1 Theory of Magnetotunneling between k-linear induced valleys
• TeのNMRシフト : 半導体, イオン結晶, 光物性
• 二次元バンドにおけるindirect exciton : イオン結晶・光物性
• 4a-L-7 異方性結晶の光学スペクトルにおける電子正孔間相互作用
• 6p-G-3 層状物質のバント構造と光学的性質
• 帯間磁気光吸収における奇妙な振舞い : 半導体・イオン結晶・光物性
• GaSe 型半導体
• 層状半導体のバンド構造 : 半導体 : 輸送
• 9a-F-1 グラファイト中の不純物の電子状態

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク