3p-ZE-16 補償Si:P系の電子状態のシミュレーション(2)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1989-09-12

著者

• 江藤 幹雄

  慶大理工

• 上村 洸

  東大理

• 上村 洸

  東大理物理

• 江藤 幹雄

  東大理

関連論文

• 20pHW-12 強磁性および常磁性リードで量子ドットを挟んだ系の非平衡伝導特性(20pHW 量子ドット理論,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHW-13 Type II半導体量子ドットにおけるバイエキシトンの数値的研究(20pHW 量子ドット理論,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXG-12 Type II半導体量子ドットにおけるエキシトンの磁場依存性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20pHW-10 ABリングに埋め込まれた量子ドットの近藤効果におけるリングサイズ依存性III(20pHW 量子ドット理論,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHW-2 多端子量子ドット系における近藤共鳴とスピンホール効果の増大(20pHW 量子ドット理論,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pHW-1 多端子量子ドット系におけるスピンホール効果の理論(20pHW 量子ドット理論,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pXG-1 強磁性リードに接続した量子ドットにおけるコトンネリング伝導(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 1p-M-8 T行列とS行列の統計的性質
• 25aYA-4 量子ドット原子における近藤効果
• 25pRP-2 半導体ナノ構造におけるスピンホール効果(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 30pZP-13 量子ドットにおける電流誘起の核スピンのエンタングルメント II
• 31a-YA-9 量子細線におけるサブバンド・ミキシングの効果
• 量子細線における帯電効果を伴う共鳴トンネル現象
• 28a-M-6 コヒーレント・トンネリング法による微小二重障壁構造における帯電効果
• 12p-DF-9 非対称な量子ドットへのFriedel Sum Ruleの応用II
• 29a-T-3 非対称な量子ドットへのFriedel Sum Ruleの応用
• 29a-J-2 第一原理による、超伝導及び常伝導相YBa_2Cu_3O_中におけるCuO_5ピラミッドの電子状態
• 24pWQ-7 Si:Pにおけるスピンプロッケードと電子スピン・核スピン結合状態のEDMR測定(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aWQ-4 磁場中の多端子量子ドットにおけるスピンホール効果(24aWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25pRP-2 半導体ナノ構造におけるスピンホール効果(25pRP 領域4,領域3,領域8合同シンポジウム:スピン依存電気伝導〜次世代のスピントロニクスを目指して,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pTH-14 2重量子ドットのスピンブロッケードにおける共鳴トンネル(量子ドット(理論),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30p-N-10 "拡張2階屋モデル"に基づく、 La_Sr_xCuO_4の偏光X線吸収スペクトルの理論と実験との比較
• 5p-PS-52 高温超伝導体におけるApical Oの効果
• 3p-ZE-16 補償Si:P系の電子状態のシミュレーション(2)
• 25aYA-4 量子ドット原子における近藤効果
• 24pSA-3 原子サイズのポイントコンタクトにおける輸送特性 III
• 23pL-1 原子サイズのポイントコンタクトにおける輸送特性II
• 2a-YE-6 2チャンネル朝永-ラッティンジャー模型の電気伝導度
• 28aYA-6 量子ドットにおける電流誘起の核スピンのエンタングルメント機構(領域4シンポジウム : 固体素子における量子情報操作の可能性)(領域4)
• 30aXB-8 量子ドット結合系における電子状態とスピン操作の理論研究(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 12p-DF-10 共鳴トンネル現象におけるクーロン相互作用の効果 III
• 29a-T-4 共鳴トンネル現象におけるクーロン相互作用の効果II
• 26p-P-5 共鳴トンネル現象におけるクーロン相互作用の効果
• 24pYT-8 数値繰り込み群の方法による量子ドットにおけるSU(4)近藤効果(量子ドット・量子細線・局在,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 13pYC-2 量子ドット中の 2 準位、スピン 1/2 の近藤効果 II(量子ドット : 理論, 領域 4)
• 29pYA-4 強トンネル結合領域における量子ドットのスピン状態II(量子ドット(伝導理論・スピン効果・量子リング))(領域4)
• 22aTH-2 強トンネル結合領域における量子ドットのスピン状態
• 25aXG-9 ABリングに埋め込まれた量子ドットの近藤効果におけるリングサイズ依存性II(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28aVE-10 ABリングに埋め込まれた量子ドットの近藤効果におけるリングサイズ依存性(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aYF-5 ABリングに埋込まれた量子ドットにおける近藤効果のスケーリング解析(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-5 noncollinearな強磁性リードと結合した量子ドットにおける近藤効果(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXH-12 金属ポイントコンタクトの輸送特性における電子間相互作用の効果
• 17aYG-7 変調された量子細線の輸送特性における磁場の効果
• 31a-ZB-1 原子サイズのポイントコンタクトにおける輸送特性
• 31a-ZB-1 原子サイズのポイントコンタクトにおける輸送特性
• 28p-ZB-10 量子ドット・セルオートマトンにおけるキンクソリトン
• 28p-ZB-10 量子ドット・セルオートマトンにおけるキンクソリトン
• S.Datta著, 森藤正人,森伸也,鎌倉良成訳, 量子輸送 基礎編;ナノスケール物性の基礎, 丸善, 東京, 2008, xiv+157p+XIII, 21×15cm, 本体3,600円, [大学院向], ISBN978-4-621-080005-4 / S.Datta著, 森藤正人,森伸也,鎌倉良成訳, 量子輸送 応用編;ナノデバイスの物理, 丸善, 東京, 2008, v+250p+XIV, 21×15cm, 本体5,500円, [大学院向], ISBN978-4-621-080006-1
• 27pXG-7 3端子に接続した量子ドットにおけるスピンホール効果(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 28pTX-1 領域4若手奨励賞選考結果の説明(28pTX 若手奨励賞,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pTX-13 多端子デバイス中のアンチドットによる共鳴スピンホール効果(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 2pYK-4 半導体アンチドット構造における外因性スピンホール効果(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pWJ-5 量子ドット結合系におけるDephasing-freeなフォノンの放出II(量子ドット,微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 22pTH-2 量子ドット結合系におけるDephasing-freeなフォノンの放出(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aRC-5 T型二重量子ドット系における電子格子相互作用による位相緩和(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXL-11 二重量子ドット干渉系における電子格子相互作用(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-6 量子ドット複合系における電気伝導特性の数値計算(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19pWF-3 量子ドットの非平衡伝導における音響フォノンによる位相緩和(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13pYC-5 量子ドットを埋め込んだ AB リングにおける電子格子相互作用(量子ドット : 理論, 領域 4)
• 29pYA-10 量子ドットを埋め込んだABリングにおける位相緩和過程(量子ドット(伝導理論・スピン効果・量子リング))(領域4)
• 22pTH-11 量子ドットを埋め込んだ AB リングの電気伝導特性 II
• 23pWJ-6 量子ドットにおけるクーロン振動と位相シフトの数値解析(量子ドット,微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24pTH-13 2重量子ドットのスピンブロッケードにおける漏れ電流の解析解(量子ドット(理論),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30pZP-14 量子ドットにおける電流誘起の核スピンのエンタングルメント III
• 27pHD-9 量子ドット中のスピン軌道相互作用に起因するg-因子の異方性(27pHD 若手奨励賞・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aHD-12 結合量子ドットにおけるボソン場を介したエンタングルメント形成(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28aHD-11 電荷量子ビット結合系における非平衡電気伝導と緩和過程(28aHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pHD-1 カイラルエッジ状態に結合した量子ドットにおける近藤効果(28pHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pTB-10 磁場中の結合量子ドットにおける近藤効果
• 25aK-3 量子ドット非対称分子の電気伝導特性における近藤効果(II)
• 26pD-10 量子ドット非対称分子の電気伝導特性における近藤効果
• 5a-N-6 量子ドット分子の近藤温度以下における伝導特性
• 量子井戸の電流-電圧特性における履歴現象(II)
• 31p-N-5 量子井戸の電流-電圧特性における履歴現象
• 31p-N-5 量子井戸の電流-電圧特性における履歴現象
• 29a-T-9 金属微粒子の光吸収における環境効果
• 1p-Q-6 複数レベルのある量子ドットの位相緩和と非平衡伝導特性
• 5a-N-7 複数レベルのある量子ドットの伝導特性 II
• 30p-Q-3 複数レベルのある量子ドットの伝導特性
• 24pWH-6 並列結合量子ドットにおけるSU(4)近藤効果(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)慶大理工江藤幹雄677
• 22pTH-9 円偏光による量子ドット中の電子スピン制御と核スピンの影響(量子ドット,光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aRC-13 リードと強くトンネル結合した量子ドットにおけるクーロン振動(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXL-12 量子ドット並列結合系における電流揺らぎの増大機構(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXB-7 スピン軌道相互作用のある量子ポイントコンタクトでのスピン分極とその測定法(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30aXB-9 二重量子ドットにおけるスピンブロッケードの理論的研究(30aXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pWF-7 半導体ポイントコンタクトにおけるスピンカレント生成機構(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29p-PSB-14 球殻微粒子の非線形感受率
• 24aTR-9 ABリングに埋め込まれた量子ドットの近藤領域における非弾性過程(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 31a-WB-9 球殻微粒子の光吸収スペクトル
• 12a-DJ-11 導体球殻中の光吸収
• 18aYJ-7 量子ドット中の偶数電子の示す近藤効果の増大機構III
• 27pTB-11 量子ドット中の偶数電子の示す近藤効果の増大機構II
• ランダムな2次元微小接合配列における電荷KTB転移のシミュレーション II
• 28a-M-13 ランダムな2次元微小接合配列における電荷KTB転移のシミュレーション
• 25pSA-4 量子ドット中の偶数電子の示す近藤効果の増大機構
• 19pWF-12 多谷構造をもつシリコン量子ドットの電子状態と近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13pYC-6 シリコン量子ドットにおける電子状態の原子スケールからの考察(量子ドット : 理論, 領域 4)
• 22aTH-1 シリコン二重量子ドットにおける電子状態の理論計算
• 30pZP-15 シリコン量子ドットにおける電子状態の数値計算 II
• 29pYA-3 量子ドット中の2準位、スピン1/2の近藤効果 : SU(4)からSU(2)のクロスオーバー(量子ドット(伝導理論・スピン効果・量子リング))(領域4)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク