19pWF-12 多谷構造をもつシリコン量子ドットの電子状態と近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-08-19

著者

• 江藤 幹雄

  慶大理工

• 波田 陽子

  慶大理工

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