松本 幸雄 | 東大理

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概要

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  東大理

• 植村 泰忠

  東大理物理

• 植村 泰忠

  東理大理

• 植村 泰忠

  東京理科大・理

• 植村 泰忠

  東大理 物理

• 植村 泰忠

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• 安藤 恒也

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• 塚田 捷

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• 松本 幸雄

  東大・理

著作論文

• 14aM-8 強磁場下二次元表面反転層のホール効果
• 2a-N-7 半導体表面反転層の磁場中伝導(界面に垂直に磁場をかけた場合)
• 23a-G-7 シリコンMOS反転層の低温での移動度と散乱機構
• 表面反転層電子の移動度への凹凸の効果(基研短期研究会「固体内のフォノンおよび電子表面状態の理論」報告)
• 13a-H-2 表面反転層の凹凸によるキャリアの束縛と散乱
• 4p-K-9 半導体表面反転層の電波磁気効果

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