笠見 昭信 | 東芝中研
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概要
関連著者
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笠見 昭信
東芝中研
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前田 敬二
東芝中研
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小出 重直
東芝中研
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内藤 誠
東芝中研
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前田 甫
東芝中研
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市川 修
東芝
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井出 恭三
東芝
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堤 正
東芝
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堤 正
東京芝浦電気(株)電子技術研究所固体デバイス開発部
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別府 達郎
東芝総研
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笠見 昭信
株式会社東芝取締役研究開発センター
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定政 哲雄
東芝
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別府 達郎
東芝(株)総合研究所電子部品研究所
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笠見 昭信
東芝(株)総合研究所電子部品研究所
著作論文
- n-Ge中間濃度領域不純物伝導のマイクロ波特性(半導体(不純物伝導))
- GaP:Zn, Oのフォトルミネッセンス : イオン結晶・光物性
- 4)平面形多色LEDパネルの開発(画像表示研究会(第49回))
- GaP赤色発光ダイオードの光電流 : イオン結晶・光物性
- 15a-N-13 large injectionによる電子,正孔の拡散距離
- 13p-N-12 GaP伝導帯の電子質量の異方性
- 2p-C-13 強い表面刺戟によるCdSの対数的光伝導
- 2p-C-12 レーザ光によるCdSのPE効果
- Fenox plana ferrite Zn_2Y単結晶の電気的性質(III)(マイクロ波特性) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- Ferrox plana fenite Zn_2Y単結晶の電気的性質(II) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- n-Ge中間濃度領域不純物伝導のマイクロ波特性 : 半導体 : マイクロ