Ferrox plana fenite Zn_2Y単結晶の電気的性質(II) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1965-10-10

著者

• 小出 重直

  東芝中研

• 笠見 昭信

  東芝中研

関連論文

• タングステンブロンズ構造をもつ非線形光学単結晶(III) : 量子エレクトロニクス
• n-Ge中間濃度領域不純物伝導のマイクロ波特性(半導体(不純物伝導))
• 沃素酸及びその塩類の非線形光学特性(I) : 量子エレクトロニクス
• 6a-G-4 V-O系単結晶の電気的性質(III)
• V-O系単結晶の電気的性質(II) : 半導体 : 不安定,輸送
• 5a-F-7 La-Ni-O系の電気的性貭
• NiO系の電気的性質(IV)(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
• 7a-A-9 NiO系の電気的性質 (III)
• NiO系の電気的性質 (II) : 半導体
• GaP:Zn, Oのフォトルミネッセンス : イオン結晶・光物性
• 4)平面形多色LEDパネルの開発(画像表示研究会(第49回))
• GaP赤色発光ダイオードの光電流 : イオン結晶・光物性
• 15a-N-13 large injectionによる電子,正孔の拡散距離
• 13p-N-12 GaP伝導帯の電子質量の異方性
• 2p-C-13 強い表面刺戟によるCdSの対数的光伝導
• 2p-C-12 レーザ光によるCdSのPE効果
• Fenox plana ferrite Zn_2Y単結晶の電気的性質(III)(マイクロ波特性) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• Ferrox plana fenite Zn_2Y単結晶の電気的性質(II) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• n-Ge中間濃度領域不純物伝導のマイクロ波特性 : 半導体 : マイクロ
• 非線形光学結晶の育成と特性 (II)
• 非線形光学結晶の育成と特性(II) : 量子エレクトロニクス・誘電体シンポジウム : 非線形光学結晶
• 13p-K-2 V-O系の半導体・金属転移(I) : 実験的側面
• E.R.Schatz編: Transtion Metal Compounds; Transport and Magnetic Properties-Informal Proceedings of Buhl International Conference on Materials, Gordon and Breach, 1964, 16cm×23.5cm, 3,800円.
• Ferrox plana ferrite Zn_2Yの電気的性質 : 半導体 : 輸送
• 10a-A-9 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3,1/2/3の法則(III) : Warped Sphereの場合
• 10a-A-8 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3, 1/2/3の法則(II) : Many-Valleyの場合
• 10a-A-7 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3,1/2/3の法則(I)
• 半導体の異方性効果 : n-Geを中心として

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク