タングステンブロンズ構造をもつ非線形光学単結晶(III) : 量子エレクトロニクス

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1969-03-30

著者

• 武居 文彦

  東芝中研

• 福田 承生

  東芝総研

• 平野 均

  東芝中研

• 福田 承生

  東芝中研

• 小出 重直

  東芝中研

• 植村 豊

  東芝中研

関連論文

• EFG法,キャピラリ法による結晶成長 : 招待講演
• コンピュータ制御GaP単結晶成長技術 : 融液成長
• LED用大口径GaP単結晶
• GaP単結晶の添加不純物の分布 : III-V族化合物半導体など
• 大直径LiTaO_3単結晶のX線トポグラフィーによる評価 : 酸化物
• コンピューターによるLiTaO_3単結晶の育成 : 酸化物
• 融液-結晶密度差利用,高収率径制御法 : LiTaO_3試作
• 弾性表面波応用LiTaO3単結晶
• 大型X軸引上げLiTaO_3単結晶に見られる異常成長(II) : 融液成長
• 大型X軸引上げLiTaO_3単結晶に見られる異常成長(I) : 融液成長
• LiTaO3単結晶によるカラ-TV用IFフィルタ基板
• 酸化物多層薄膜作成 : 融液成長
• Capillary liquid epitaxial法によるLiTaO_3及びLiNbO_3薄膜作成
• EFG法作成結晶の不純物濃度分布
• 板状LiNbO_3単結晶の結晶性 : 酸化物
• 3p-KB-3 KNBO_3のラマンスペクトル〔II〕ポラリトン
• 3p-KB-2 KNBO_3のラマンスペクトル〔I〕直角散乱
• タングステンブロンズ構造をもつ非線形光学単結晶(III) : 量子エレクトロニクス
• Li添加KTaO_3単結晶の電気的・電気光学的性質 : 量子エレクトロニクス
• 沃素酸及びその塩類の非線形光学特性(I) : 量子エレクトロニクス
• 6a-G-4 V-O系単結晶の電気的性質(III)
• V-O系単結晶の電気的性質(II) : 半導体 : 不安定,輸送
• V-O系の単結晶の電気的性質 : 半導体(磁性半導体)
• 5a-F-7 La-Ni-O系の電気的性貭
• 5p-D-14 γ-Fe_2O_3単結晶薄膜の磁気的研究
• NiO系の電気的性質(IV)(半導体(化合物,炭素,ビスマス))
• 7a-A-9 NiO系の電気的性質 (III)
• フェライト単結晶薄膜 (I) : 磁性 (薄膜・微粒子)
• NiO系の電気的性質 (II) : 半導体
• 縦続形光波逓倍器 : 量子エレクトロニクス
• Fenox plana ferrite Zn_2Y単結晶の電気的性質(III)(マイクロ波特性) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• Ferrox plana fenite Zn_2Y単結晶の電気的性質(II) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
• 非線形光学結晶の育成と特性 (II)
• 非線形光学結晶の育成と特性(II) : 量子エレクトロニクス・誘電体シンポジウム : 非線形光学結晶
• 13p-K-2 V-O系の半導体・金属転移(I) : 実験的側面
• E.R.Schatz編: Transtion Metal Compounds; Transport and Magnetic Properties-Informal Proceedings of Buhl International Conference on Materials, Gordon and Breach, 1964, 16cm×23.5cm, 3,800円.
• Ferrox plana ferrite Zn_2Yの電気的性質 : 半導体 : 輸送
• 10a-A-9 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3,1/2/3の法則(III) : Warped Sphereの場合
• 10a-A-8 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3, 1/2/3の法則(II) : Many-Valleyの場合
• 10a-A-7 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3,1/2/3の法則(I)
• 半導体の異方性効果 : n-Geを中心として

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク