n-Ge中間濃度領域不純物伝導のマイクロ波特性 : 半導体 : マイクロ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1965-04-06
著者
関連論文
- n-Ge中間濃度領域不純物伝導のマイクロ波特性(半導体(不純物伝導))
- GaP:Zn, Oのフォトルミネッセンス : イオン結晶・光物性
- 4)平面形多色LEDパネルの開発(画像表示研究会(第49回))
- GaP赤色発光ダイオードの光電流 : イオン結晶・光物性
- 15a-N-13 large injectionによる電子,正孔の拡散距離
- 13p-N-12 GaP伝導帯の電子質量の異方性
- 2p-C-13 強い表面刺戟によるCdSの対数的光伝導
- 2p-C-12 レーザ光によるCdSのPE効果
- Fenox plana ferrite Zn_2Y単結晶の電気的性質(III)(マイクロ波特性) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- Ferrox plana fenite Zn_2Y単結晶の電気的性質(II) : 半導体(午前:化合物,午後:p-n接合)
- n-Ge中間濃度領域不純物伝導のマイクロ波特性 : 半導体 : マイクロ